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公开(公告)号：CN104483764B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410633382.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 江苏大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明公开了一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途，包括一维磁光子晶体和磁光材料缺陷层，一维光子晶体由磁光材料A和各向同性介质材料B交替构成，位于结构中间位置的磁光材料C为磁光材料缺陷层。其结构为[A/B]m[C][A/B]mA，其中磁光介质A的介电张量为εa，xx＝εa，yy＝εa，zz＝1.96，εa，xz＝‑εa，zx＝i0.4，εa，xy＝εa，yx＝εa，yz＝εa，zy＝0，厚度da＝69.3nm，介质层B的介电常数为εb＝4，db＝152.8nm，晶格周期为d＝da+db＝222.1nm，缺陷层C的介电张量为εc，xx＝εc，yy＝εa，zz＝1.96，εc，xz＝‑εc，zx＝‑i0.4，εc，xy＝εc，yx＝εc，yz＝εc，zy＝0，dc＝150nm，m为光子晶体的周期数，取13。本发明具有结构通俗，工艺简单，功能性强等特点，设计灵活，在光隔离器、光环行器等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104681647A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510054295.5
申请日：2015-02-02
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02366
Abstract: 本发明提供了一种降低太阳能电池表面反射率的结构，属于太阳能电池领域；通过在基底表面设置同一尺寸、呈二维周期正方排列的、锥形的纳米锥阵列，锥形截面面积沿光照射方向由上至下逐渐变大，将纳米锥阵列划分为许多层截面平行于底面的小薄片，由上至下每一层的等效折射率neff逐渐增大，锥体底部一层的neff最大，与基底的折射率最接近，在此处因折射率突变产生的反射就越小。
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公开(公告)号：CN104681647B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510054295.5
申请日：2015-02-02
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种降低太阳能电池表面反射率的结构，属于太阳能电池领域；通过在基底表面设置同一尺寸、呈二维周期正方排列的、锥形的纳米锥阵列，锥形截面面积沿光照射方向由上至下逐渐变大，将纳米锥阵列划分为许多层截面平行于底面的小薄片，由上至下每一层的等效折射率neff逐渐增大，锥体底部一层的neff最大，与基底的折射率最接近，在此处因折射率突变产生的反射就越小。
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公开(公告)号：CN104483764A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410633382.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 江苏大学
IPC: G02F1/09
CPC classification number: G02F1/0955 , G02F1/0036 , G02F2202/32
Abstract: 本发明公开了一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途，包括一维磁光子晶体和磁光材料缺陷层，一维光子晶体由磁光材料A和各向同性介质材料B交替构成，位于结构中间位置的磁光材料C为磁光材料缺陷层。其结构为[A/B]m[C][A/B]mA，其中磁光介质A的介电张量为εa，xx＝εa，yy＝εa，zz＝1.96，εa，xz＝-εa，zx＝i0.4，εa，xy＝εa，yx＝εa，yz＝εa，zy＝0，厚度da＝69.3nm，介质层B的介电常数为εb＝4，db＝152.8nm，晶格周期为d＝da+db＝222.1nm，缺陷层C的介电张量为εc，xx＝εc，yy＝εa，zz＝1.96，εc，xz＝-εc，zx＝-i0.4，εc，xy＝εc，yx＝εc，yz＝εc，zy＝0，dc＝150nm，m为光子晶体的周期数，取13。本发明具有结构通俗，工艺简单，功能性强等特点，设计灵活，在光隔离器、光环行器等方面有广泛的应用前景。
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