一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途

    公开(公告)号:CN104483764A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410633382.1

    申请日:2014-11-11

    Applicant: 江苏大学

    CPC classification number: G02F1/0955 G02F1/0036 G02F2202/32

    Abstract: 本发明公开了一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途,包括一维磁光子晶体和磁光材料缺陷层,一维光子晶体由磁光材料A和各向同性介质材料B交替构成,位于结构中间位置的磁光材料C为磁光材料缺陷层。其结构为[A/B]m[C][A/B]mA,其中磁光介质A的介电张量为εa,xx=εa,yy=εa,zz=1.96,εa,xz=-εa,zx=i0.4,εa,xy=εa,yx=εa,yz=εa,zy=0,厚度da=69.3nm,介质层B的介电常数为εb=4,db=152.8nm,晶格周期为d=da+db=222.1nm,缺陷层C的介电张量为εc,xx=εc,yy=εa,zz=1.96,εc,xz=-εc,zx=-i0.4,εc,xy=εc,yx=εc,yz=εc,zy=0,dc=150nm,m为光子晶体的周期数,取13。本发明具有结构通俗,工艺简单,功能性强等特点,设计灵活,在光隔离器、光环行器等方面有广泛的应用前景。

    一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途

    公开(公告)号:CN104483764B

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201410633382.1

    申请日:2014-11-11

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途,包括一维磁光子晶体和磁光材料缺陷层,一维光子晶体由磁光材料A和各向同性介质材料B交替构成,位于结构中间位置的磁光材料C为磁光材料缺陷层。其结构为[A/B]m[C][A/B]mA,其中磁光介质A的介电张量为εa,xx=εa,yy=εa,zz=1.96,εa,xz=‑εa,zx=i0.4,εa,xy=εa,yx=εa,yz=εa,zy=0,厚度da=69.3nm,介质层B的介电常数为εb=4,db=152.8nm,晶格周期为d=da+db=222.1nm,缺陷层C的介电张量为εc,xx=εc,yy=εa,zz=1.96,εc,xz=‑εc,zx=‑i0.4,εc,xy=εc,yx=εc,yz=εc,zy=0,dc=150nm,m为光子晶体的周期数,取13。本发明具有结构通俗,工艺简单,功能性强等特点,设计灵活,在光隔离器、光环行器等方面有广泛的应用前景。

    一种小尺寸、高变焦倍数的光学变焦装置

    公开(公告)号:CN205581388U

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201620186068.8

    申请日:2016-03-10

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本实用新型提供了一种小尺寸、高变焦倍数的光学变焦装置,适于将物侧的物体成像于像侧的一成像面上,所述变焦装置从物面到像面依次包括:具有正折射焦度的第一透镜组G1;具有负折射焦度的第二透镜组G2;孔径光阑;具有正折射焦度的第三透镜组G3;具有正折射焦度的第四透镜组G4;第一平行平面光学元件PP1;第二平行平面光学元件PP2;其中,第二透镜组G2和第四透镜组G4在光轴方向移动。本实用新型提供了一个具有高性能和高可变放大比、小尺寸、低成本并且成像质量优良的变焦镜头,同时也是一种包括变焦镜头的成像装置。

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