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公开(公告)号：CN104498991B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410840973.6
申请日：2014-12-25
Applicant: 江南大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02E70/10
Abstract: 本发明公开了NiO/CdSe/MoS2层状复合型光电阴极及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)以ITO导电玻璃为基底，采用水热法制得均匀一致的氧化镍层；(2)硒化镉的负载采用离子交替吸附法，把硒化镉负载在氧化镍表面；(3)将上述NiO/CdSe电极作为阴极，以(NH4)2[MoS4]为沉积液，采用光协助恒电位沉积方法将MoS2颗粒沉积在NiO/CdSe电极表面，得到MoS2修饰的电极。本发明制备光电极的方法对吸光剂和助催化剂的量可控，在可见光照射下，表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性，且性能稳定，可以有效应用于光电催化水分解产氢领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104862758B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510212337.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 江南大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种分解水产氢用NiS/Ni(OH)2电催化剂的制备方法，以硝酸镍与硫脲为原料，采用光协助电动沉积法，一步得到NiS/Ni(OH)2电极，不需要进一步处理。本发明制备电极的方法对包覆催化剂的量可控，所得电极在较低的过电势下，表现出良好的电催化活性，且性能稳定，在中性电解质中，可持续反应22个小时，电流没有明显降低，且法拉第效率接近100％，可以有效应用于电催化水分解产氢领域。
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公开(公告)号：CN105336498A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510686192.0
申请日：2015-10-21
Applicant: 江南大学
CPC classification number: H01G9/20 , H01G9/0029 , H01G9/0425 , H01G9/2027
Abstract: 本发明公开了一种新型g-C3N4/NiO光电产氢电极的制备方法，属于无机化学和光电催化技术领域。所述的g-C3N4光吸收剂，是一种非金属，无毒且易得的材料。本发明解决了现有技术中一般使用有毒的金属镉系硫属化合物为吸光剂的问题，首次采用g-C3N4作为光电阴极吸光剂和助催化剂。本发明的制备方法如下：一、以FTO导电玻璃为基底，采用水热法制得有序的NiO膜；二、把上一步制得的NiO/FTO电极浸泡在饱和硫脲溶液中4h，置于马弗炉中，500℃煅烧2h，取出即得g-C3N4/NiO/FTO电极。制备方法简便易行，有利于大规模应用。
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公开(公告)号：CN105336498B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510686192.0
申请日：2015-10-21
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种新型g‑C3N4/NiO光电产氢电极的制备方法，属于无机化学和光电催化技术领域。所述的g‑C3N4光吸收剂，是一种非金属，无毒且易得的材料。本发明解决了现有技术中一般使用有毒的金属镉系硫属化合物为吸光剂的问题，首次采用g‑C3N4作为光电阴极吸光剂和助催化剂。本发明的制备方法如下：一、以FTO导电玻璃为基底，采用水热法制得有序的NiO膜；二、把上一步制得的NiO/FTO电极浸泡在饱和硫脲溶液中4h，置于马弗炉中，500℃煅烧2h，取出即得g‑C3N4/NiO/FTO电极。制备方法简便易行，有利于大规模应用。
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公开(公告)号：CN104862758A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510212337.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 江南大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种分解水产氢用NiS/Ni(OH)2电催化剂的制备方法，以硝酸镍与硫脲为原料，采用光协助电动沉积法，一步得到NiS/Ni(OH)2电极，不需要进一步处理。本发明制备电极的方法对包覆催化剂的量可控，所得电极在较低的过电势下，表现出良好的电催化活性，且性能稳定，在中性电解质中，可持续反应22个小时，电流没有明显降低，且法拉第效率接近100％，可以有效应用于电催化水分解产氢领域。
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公开(公告)号：CN104498991A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410840973.6
申请日：2014-12-25
Applicant: 江南大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02E70/10
Abstract: 本发明公开了NiO/CdSe/MoS2层状复合型光电阴极及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)以ITO导电玻璃为基底，采用水热法制得均匀一致的氧化镍层；(2)硒化镉的负载采用离子交替吸附法，把硒化镉负载在氧化镍表面；(3)将上述NiO/CdSe电极作为阴极，以(NH4)2[MoS4]为沉积液，采用光协助恒电位沉积方法将MoS2颗粒沉积在NiO/CdSe电极表面，得到MoS2修饰的电极。本发明制备光电极的方法对吸光剂和助催化剂的量可控，在可见光照射下，表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性，且性能稳定，可以有效应用于光电催化水分解产氢领域。
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