公开(公告)号：CN104498991A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410840973.6

申请日：2014-12-25

Applicant: 江南大学

Inventor： 董玉明 ,  陈艳美 ,  蒋平平 ,  王光丽 ,  毋瑞仙

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04

CPC classification number: Y02E60/366 ,  Y02E70/10

Abstract: 本发明公开了NiO/CdSe/MoS2层状复合型光电阴极及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)以ITO导电玻璃为基底，采用水热法制得均匀一致的氧化镍层；(2)硒化镉的负载采用离子交替吸附法，把硒化镉负载在氧化镍表面；(3)将上述NiO/CdSe电极作为阴极，以(NH4)2[MoS4]为沉积液，采用光协助恒电位沉积方法将MoS2颗粒沉积在NiO/CdSe电极表面，得到MoS2修饰的电极。本发明制备光电极的方法对吸光剂和助催化剂的量可控，在可见光照射下，表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性，且性能稳定，可以有效应用于光电催化水分解产氢领域。

公开(公告)号：CN104498991B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410840973.6

申请日：2014-12-25

Applicant: 江南大学

Inventor： 董玉明 ,  陈艳美 ,  蒋平平 ,  王光丽 ,  毋瑞仙

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04

CPC classification number: Y02E60/366 ,  Y02E70/10

Abstract: 本发明公开了NiO/CdSe/MoS2层状复合型光电阴极及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)以ITO导电玻璃为基底，采用水热法制得均匀一致的氧化镍层；(2)硒化镉的负载采用离子交替吸附法，把硒化镉负载在氧化镍表面；(3)将上述NiO/CdSe电极作为阴极，以(NH4)2[MoS4]为沉积液，采用光协助恒电位沉积方法将MoS2颗粒沉积在NiO/CdSe电极表面，得到MoS2修饰的电极。本发明制备光电极的方法对吸光剂和助催化剂的量可控，在可见光照射下，表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性，且性能稳定，可以有效应用于光电催化水分解产氢领域。

公开(公告)号：CN104451765A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410841085.6

申请日：2014-12-25

Applicant: 江南大学

Inventor： 董玉明 ,  毋瑞仙 ,  陆可钰 ,  蒋平平 ,  王光丽

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04

CPC classification number: Y02E60/366 ,  Y02E70/10 ,  Y02P20/135

Abstract: 本发明公开了一种碲化镉量子点敏化氧化镍光电极制备方法。以碲化镉量子点为光敏剂，在存在助催化剂镍盐和低的过电势情况下，通过光电化学方法制备高效光电极建立光电催化分解水产氢的方法，可以简单快捷实现由碲化镉量子点通过吸收可见光子原位制备高效光电极并分解水制氢。本方法无需铂等贵金属材料，就可以在光照下原位生成高效稳定、成本低、合成简便的光电极进行催化产氢。