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公开(公告)号：CN114823892A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210396624.4
申请日：2022-04-15
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器，属于半导体、化学传感技术领域。所述重金属离子检测传感器，包括：衬底材料上依次形成的成核层、缓冲层、InAlN背势垒层、沟道层、势垒层、钝化层以及源极、漏极和栅极；本发明引入InAlN背势垒结构抬高了缓冲层势垒，降低了器件的寄生效应、抑制缓冲层漏电流，从而提高了传感器检测的可靠性；采用半胱氨酸溶液修饰栅极，半胱氨酸的羧基和氨基与重金属离子结合成螯合物的能力较强，提高了提高传感器的灵敏度；且半胱氨酸材料无毒害、自组装修饰效果好，修饰时间较短，操作简便，有效地改善检测环境，降低了器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN114678439B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210244562.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器及制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和金属电极层。本发明采用具有对称叉指结构2DEG电极，利用AlGaN/GaN异质结构中的价带偏移，该界面上的空穴积累导致电子进入导带的势垒能降低，从而解决了传统器件结构紫外探测器的低响应和低量子效率的缺点，提高了响应度和增益，通过GaN断开2DEG导电通道，降低了器件的暗电流，提高了光暗电流比，有效地减少了响应时间、同时提升了器件灵敏度和信噪比。此外，本发明的制造工艺简单，便于单片集成，进而能够实现光学传感系统的芯片集成。
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公开(公告)号：CN114678439A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210244562.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器及制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和金属电极层。本发明采用具有对称叉指结构2DEG电极，利用AlGaN/GaN异质结构中的价带偏移，该界面上的空穴积累导致电子进入导带的势垒能降低，从而解决了传统器件结构紫外探测器的低响应和低量子效率的缺点，提高了响应度和增益，通过GaN断开2DEG导电通道，降低了器件的暗电流，提高了光暗电流比，有效地减少了响应时间、同时提升了器件灵敏度和信噪比。此外，本发明的制造工艺简单，便于单片集成，进而能够实现光学传感系统的芯片集成。
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公开(公告)号：CN114553033A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210266088.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了降压‑反激集成式单开关管功率因数校正变换器，属于开关电源技术领域。所述变换器包括：输入交流电源、整流桥BR、降压功率因数校正变换器、反激功率因数校正变换器、GaN功率开关管、输出电容C、输出负载RL和控制电路；本发明采用降压‑反激集成式拓扑，针对降压单元中输入电压低于输出电压是输入电流纯在死区现象，反激单元的导通消除了输入电流死区的影响，降低总谐波失真，提高变换器功率因数，使变换器达到IEC61000‑3‑2 C类标准；此外，通过将降压单元与反激单元采用输入并联输出并联结构共用一个GaN开关管，使变换器只需一套控制电路，降低了电路的复杂程度，成本低，可靠性高。
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