公开(公告)号：CN114553033A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210266088.6

申请日：2022-03-15

Applicant: 江南大学

Inventor： 曹通 ,  杨国锋 ,  秦世清 ,  谢峰 ,  蒋学成 ,  叶炳杰 ,  李婷 ,  何映谊 ,  张秀梅 ,  陈国庆

IPC: H02M7/219 ,  H02M1/42 ,  H02M1/14 ,  H02M1/36 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明公开了降压‑反激集成式单开关管功率因数校正变换器，属于开关电源技术领域。所述变换器包括：输入交流电源、整流桥BR、降压功率因数校正变换器、反激功率因数校正变换器、GaN功率开关管、输出电容C、输出负载RL和控制电路；本发明采用降压‑反激集成式拓扑，针对降压单元中输入电压低于输出电压是输入电流纯在死区现象，反激单元的导通消除了输入电流死区的影响，降低总谐波失真，提高变换器功率因数，使变换器达到IEC61000‑3‑2 C类标准；此外，通过将降压单元与反激单元采用输入并联输出并联结构共用一个GaN开关管，使变换器只需一套控制电路，降低了电路的复杂程度，成本低，可靠性高。

公开(公告)号：CN116595928A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310432255.4

申请日：2023-04-21

Applicant: 江南大学

Inventor： 秦世清 ,  杨国锋 ,  曹通 ,  谢峰 ,  李婷 ,  何映谊 ,  张秀梅 ,  应佳瑶 ,  陆乃彦 ,  钱维莹 ,  张向阳

IPC: G06F30/367 ,  G06N3/044 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明公开了一种GaN‑HEMT栅极开关振荡的预测方法，属于半导体及功率器件领域。本发明通过BPNN网络模型进行训练，得到了基于BPNN算法模型的寄生电容与栅源电压的初步映射关系后，建立基于Cascode型GaN HEMT二端口网络函数，通过实验获取GaN HEMT器件的全S参数下的寄生电容值，并将该提取寄生电容值作为数据集输入BPNN网络模型，得到VGS_m与全S参数下的VDS、CGS、CGD的关系曲面和曲线关系。仿真结果表明，本发明的预测方法的标准误差小于ANN和PSO，证明了本发明基于BPNN算法模型的GaN‑HEMT栅极开关振荡的检测方法预测准确度较高。