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公开(公告)号：CN110071214B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910376586.4
申请日：2019-05-07
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种减小刻蚀产物侧壁再淀积的刻蚀方法，属于半导体技术领域。所述方法刻蚀方法在刻蚀前淀积薄膜时先不淀积MTJ器件的上层金属，而是使用碳层作为刻蚀掩模，采用感应耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀，刻蚀完成后对上表面做平坦化处理，再将上层金属淀积，用作MTJ器件的上部电极；避免了上层已刻蚀部分在后续刻蚀中产生颗粒再淀积到MgO侧壁，影响器件性能，使得刻蚀过程中对于磁材料的损伤降低至传统方法的一半以下，同时刻蚀过程中采用醇类和H2O的混合气体作为刻蚀气体，进一步有效的避免了刻蚀的后腐蚀问题和刻蚀损伤问题，不再需要进行尾气处理，减少了工艺步骤。
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公开(公告)号：CN110071214A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910376586.4
申请日：2019-05-07
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种减小刻蚀产物侧壁再淀积的刻蚀方法，属于半导体技术领域。所述方法刻蚀方法在刻蚀前淀积薄膜时先不淀积MTJ器件的上层金属，而是使用碳层作为刻蚀掩模，采用感应耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀，刻蚀完成后对上表面做平坦化处理，再将上层金属淀积，用作MTJ器件的上部电极；避免了上层已刻蚀部分在后续刻蚀中产生颗粒再淀积到MgO侧壁，影响器件性能，使得刻蚀过程中对于磁材料的损伤降低至传统方法的一半以下，同时刻蚀过程中采用醇类和H2O的混合气体作为刻蚀气体，进一步有效的避免了刻蚀的后腐蚀问题和刻蚀损伤问题，不再需要进行尾气处理，减少了工艺步骤。
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