公开(公告)号：CN106328735A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201611003948.8

申请日：2016-11-15

Applicant: 江南大学

Inventor： 李文佳 ,  邵剑波 ,  王振交 ,  李果华 ,  朱益清 ,  王晓

IPC: H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种c-Si/a-Si/mc-Si太阳电池结构及其制备方法，该结构包括N型单晶硅片，设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征a-Si层，设在受光面本征a-Si层上的掺杂P型mc-Si层，设在背光面本征a-Si层上的掺杂N型mc-Si层，分别设在掺杂P型mc-Si层和掺杂N型mc-Si层上的ITO透明导电膜层及设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本发明的掺杂mc-Si层由本征a-Si层通过瞬间辐照退火形成。瞬间辐照退火技术把杂质掺杂和a-Si晶化两个过程合并在10～20ms之间同时完成，不仅简化了制造步骤，还使此种结构电池适用于大规模生产。更重要的是，本发明使得本征a-Si层和掺杂mc-Si层并存，发挥本征a-Si层钝化优势的同时，使用掺杂mc-Si作为发射层和背场层材料，有效地减小复合、降低串联电阻，有利于提升电池性能。

公开(公告)号：CN106024933A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610635728.0

申请日：2016-08-04

Applicant: 江南大学

Inventor： 李文佳 ,  邵建波 ,  王振交 ,  朱益清 ,  李果华

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳电池的背面局部双质杂质掺杂结构及其掺杂方法，主要解决现有技术制造的背面局部单质掺杂深度和浓度不能兼得(硼扩散表面浓度远高于铝，而铝扩散深度远大于硼)、在制备掺杂源时采用旋涂、蒸镀或丝网印刷硼聚合物存在着工艺繁琐、集成度低、杂质源不纯净和存在毒害危险等问题。其实施方案是：通过PECVD方法在P型太阳电池背面钝化层上沉积掺硼氧化铝，之后通过激光辐射硅片背面局部区域以在所述区域形成硼和铝双质杂质掺杂，并在掺硼氧化铝层和钝化层的对应位置上形成开口。激光掺杂形成的双质杂质掺杂结浓度高、深度深，有助于降低背电极和硅基的接触电阻和基区纵向电阻，提高FF；此结构可匹配低方块电阻，提升短路电流。