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公开(公告)号:CN113381759B
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202110688380.2
申请日:2021-06-21
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于神经网络存算阵列的温度补偿单元及方法,通过在存算阵列中稀疏插入的参考阵列为ADC提供参考电压,使ADC的输入电压与参考电压具有相同的温度系数,最后利用ADC进行模数转换,使ADC的数字输出不受外部温度的影响,保证神经网络的运算精度。根据本发明的温度补偿单元采用的参考阵列与存算阵列结构相同,参考阵列的插入密度与存算阵列所处温场有关,可使用一个参考阵列同时为多个存算阵列提供ADC的参考电压,最大程度地降低插入参考阵列带来的面积和功耗的增加。本发明中的温度补偿方法适用于器件阵列与阵列外围电路放在相同或不同层的3D堆叠技术,符合存算阵列朝大规模方向发展的需求。
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公开(公告)号:CN113381759A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110688380.2
申请日:2021-06-21
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于神经网络存算阵列的温度补偿单元及方法,通过在存算阵列中稀疏插入的参考阵列为ADC提供参考电压,使ADC的输入电压与参考电压具有相同的温度系数,最后利用ADC进行模数转换,使ADC的数字输出不受外部温度的影响,保证神经网络的运算精度。根据本发明的温度补偿单元采用的参考阵列与存算阵列结构相同,参考阵列的插入密度与存算阵列所处温场有关,可使用一个参考阵列同时为多个存算阵列提供ADC的参考电压,最大程度地降低插入参考阵列带来的面积和功耗的增加。本发明中的温度补偿方法适用于器件阵列与阵列外围电路放在相同或不同层的3D堆叠技术,符合存算阵列朝大规模方向发展的需求。
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