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公开(公告)号:CN114855460A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210507271.0
申请日:2022-05-10
Applicant: 江南大学
IPC: D06M15/61 , D06M11/83 , D01D5/00 , D04H1/4282 , D04H1/728 , H05K9/00 , D06M101/20
Abstract: 本发明涉及一种电热刺激形状记忆FPC电磁屏蔽膜的制备方法,属于高分子科学技术领域。先利用静电纺丝和紫外光固化制备EVA纤维膜,固化后浸入多巴胺溶液,表面沉积聚多巴胺薄膜的纤维膜放入银氨溶液,再加入葡萄糖溶液反应,反应结束后干燥即得电热刺激形状记忆FPC电磁屏蔽膜。本发明所制备的FPC电磁屏蔽膜具有超高电导率、超强EMI SE以及电/热刺激形状记忆效应。综合表现为FPC电磁屏蔽膜可在电刺激下根据FPC的大小自由变形并完全贴紧稠密布局的电子元器件,与此同时,仍可保持稳定的高EMI SE;当手机废弃回收时,通过热刺激驱动形状记忆聚合物基导电复合纤维膜的形状回复以及EMI SE恢复,具有较强回收再利用性。
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公开(公告)号:CN114855460B
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202210507271.0
申请日:2022-05-10
Applicant: 江南大学
IPC: D06M15/61 , D06M11/83 , D01D5/00 , D04H1/4282 , D04H1/728 , H05K9/00 , D06M101/20
Abstract: 本发明涉及一种电热刺激形状记忆FPC电磁屏蔽膜的制备方法,属于高分子科学技术领域。先利用静电纺丝和紫外光固化制备EVA纤维膜,固化后浸入多巴胺溶液,表面沉积聚多巴胺薄膜的纤维膜放入银氨溶液,再加入葡萄糖溶液反应,反应结束后干燥即得电热刺激形状记忆FPC电磁屏蔽膜。本发明所制备的FPC电磁屏蔽膜具有超高电导率、超强EMI SE以及电/热刺激形状记忆效应。综合表现为FPC电磁屏蔽膜可在电刺激下根据FPC的大小自由变形并完全贴紧稠密布局的电子元器件,与此同时,仍可保持稳定的高EMI SE;当手机废弃回收时,通过热刺激驱动形状记忆聚合物基导电复合纤维膜的形状回复以及EMI SE恢复,具有较强回收再利用性。
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