公开(公告)号：CN1699530A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510067628.4

申请日：2005-03-18

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 张鹏 ,  D·M·K·库尔滋 ,  E·J·小卡瓦基 ,  L·C·巴伯

IPC: C11D1/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/32 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/425

Abstract: 将含有一种或多种表面活性剂的处理溶液用于减少半导体器件制造过程中的缺陷数量。在某些实施方案中，当该处理溶液在图案化的光致显影剂层的显影过程中或之后用作冲洗液时，其可减少显影后的缺陷，例如图案损坏或线宽粗糙度。还公开了一种使用本发明的处理溶液，使涂覆了光致抗蚀剂的多个基底上的缺陷数量减少的方法，该缺陷例如为图案损坏和/或线宽粗糙度。

公开(公告)号：CN102122121A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201110030242.1

申请日：2005-03-18

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 张鹏 ,  D·M·K·库尔滋 ,  E·J·小卡瓦基 ,  L·C·巴伯

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

Abstract: 将含有一种或多种表面活性剂的处理溶液用于减少半导体器件制造过程中的缺陷数量。在某些实施方案中，当该处理溶液在图案化的光致显影剂层的显影过程中或之后用作冲洗液时，其可减少显影后的缺陷，例如图案损坏或线宽粗糙度。还公开了一种使用本发明的处理溶液，使涂覆了光致抗蚀剂的多个基底上的缺陷数量减少的方法，该缺陷例如为图案损坏和/或线宽粗糙度。

公开(公告)号：CN1699530B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200510067628.4

申请日：2005-03-18

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 张鹏 ,  D·M·K·库尔滋 ,  E·J·小卡瓦基 ,  L·C·巴伯

IPC: C11D1/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/32 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/425

Abstract: 将含有一种或多种表面活性剂的处理溶液用于减少半导体器件制造过程中的缺陷数量。在某些实施方案中，当该处理溶液在图案化的光致显影剂层的显影过程中或之后用作冲洗液时，其可减少显影后的缺陷，例如图案损坏或线宽粗糙度。还公开了一种使用本发明的处理溶液，使涂覆了光致抗蚀剂的多个基底上的缺陷数量减少的方法，该缺陷例如为图案损坏和/或线宽粗糙度。