公开(公告)号：CN103094358A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110254023.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 张兴来 ,  李春霞 ,  陈朝伟 ,  曾爱平 ,  陈宇

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体器件，特别涉及一种新型沟槽肖特基整流管，包括，第一半导体层，设于第一半导体层之下的第一金属电极，设于第一半导体层中相互隔开的第一沟槽和第二沟槽，位于沟槽中的隔离层，设于第一半导体层之上位于第一沟槽和第二沟槽之间势垒金属层，设于第一半导体层之上势垒金属层之外的氧化层，以及设于第一半导体层之上第二金属电极，所述的沟槽深度为2um至7um；本发明通过沟槽设置提高肖特基二极管的反向击穿电压。

公开(公告)号：CN103094100B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110332623.5

申请日：2011-10-28

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 曾爱平 ,  张兴来 ,  陈朝伟 ,  李春霞 ,  陈宇

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种形成肖特基二极管方法，包括以下步骤：a）提供第一导电类型第一半导体层；b）于第一半导体层中形成第二导电类型保护环，以及多个相互间隔且位于保护环内第二导电类型掩埋区；c)于第一导电类型第一半导体层中形成多个相互间隔的沟槽，所述沟槽位于所述掩埋区之上，单个沟槽的纵截面宽度等于或大于单个掩埋区纵截面宽度；d)于第一导电类型第一半导体层之上和沟槽中形成金属层；e)于金属层上和第一导电类型第一半导体层的背面形成金属电极。本发明肖特基二极管工艺成本和难度低，且导通压降小。

公开(公告)号：CN103094100A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110332623.5

申请日：2011-10-28

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 曾爱平 ,  张兴来 ,  陈朝伟 ,  李春霞 ,  陈宇

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种形成肖特基二极管方法，包括以下步骤：a）提供第一导电类型第一半导体层；b）于第一半导体层中形成第二导电类型保护环,以及多个相互间隔且位于保护环内第二导电类型掩埋区；c)于第一导电类型第一半导体层中形成多个相互间隔的沟槽，所述沟槽位于所述掩埋区之上，单个沟槽的纵截面宽度等于或大于单个掩埋区纵截面宽度；d)于第一导电类型第一半导体层之上和沟槽中形成金属层；e)于金属层上和第一导电类型第一半导体层的背面形成金属电极。本发明肖特基二极管工艺成本和难度低，且导通压降小。