一种屏幕输入控制方法、系统及车辆

    公开(公告)号:CN118535027A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410342156.1

    申请日:2024-03-22

    Abstract: 本申请涉及一种屏幕输入控制方法、系统及车辆,所述方法应用于包括至少两个屏幕的系统,所述方法包括:创建管理服务资源池,所述管理服务资源池中始终包括至少一个未使用的输入法管理服务;在一个屏幕的输入控件被触发时,从管理服务资源池中获取所述未使用的输入法管理服务分配给所述屏幕,并将所述输入法管理服务标记为已使用,以用于启动屏幕的输入法。本申请具有减少输入法管理服务的内存占用,提升用户体验的效果。

    电动汽车电池加热装置及其散热器

    公开(公告)号:CN103594757A

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201210292393.9

    申请日:2012-08-16

    Abstract: 本发明提出一种电动汽车电池加热装置及其散热器,该散热器包括:第一壳体;第二壳体,第二壳体与第一壳体结合以形成内腔;柔性盘,柔性盘设在内腔中,且柔性盘具有容纳腔;和冷却介质,冷却介质充填容纳腔的一部分。由此,根据本发明的散热器,通过将冷却介质充填在柔性盘内,可以迅速降低电动汽车电池加热器的温度,提高了电动汽车电池加热器的工作稳定性和安全性,而且延长了其使用寿命。

    一种碳纳米管及其纯化方法

    公开(公告)号:CN109095454B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201710470706.8

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明涉及碳纳米管制备领域,具体涉及一种碳纳米管及其纯化方法。本发明公开了一种纯化碳纳米管的方法,该方法包括:(1)在惰性气氛下,将含有金属氧化物和/或金属杂质的碳纳米管中的金属氧化物进行还原反应;(2)在惰性气氛下,将步骤(1)得到的碳纳米管与环戊二烯进行接触反应,生成茂金属;(3)将步骤(2)中生成的茂金属脱除。还公开了上述方法纯化得到的碳纳米管。本发明的纯化方法能够在不破坏碳纳米管结构同时最大程度地脱除金属杂质。

    一种氮掺杂石墨烯聚集体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108117057B

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201611079769.2

    申请日:2016-11-30

    Abstract: 本发明涉及石墨烯领域,公开了一种氮掺杂石墨烯聚集体及其制备方法和应用。所述氮掺杂石墨烯聚集体的制备方法包括将层状石墨、氧化剂和酸液进行氧化反应,然后将所得可膨胀石墨在惰性气氛中并在挥发性有机胺蒸气的存在下进行高温固相处理,所述挥发性有机胺蒸气由挥发性有机胺经气化得到且所述挥发性有机胺的结构如式(1)所示,且所述高温固相处理的温度不低于500℃;其中,R1为C1‑C5的脂烃基或C6‑C10的芳烃基,R2为H或NH2。采用本发明提供的方法制备得到的氮掺杂石墨烯聚集体不仅能够显著提高石墨烯本身的电子导电性,而且还能够显著提高在N‑甲基吡咯烷酮中的分散性,极具工业应用前景。NH2‑R1‑R2 式(1)。

    一种氮掺杂石墨烯聚集体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108117057A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201611079769.2

    申请日:2016-11-30

    Abstract: 本发明涉及石墨烯领域,公开了一种氮掺杂石墨烯聚集体及其制备方法和应用。所述氮掺杂石墨烯聚集体的制备方法包括将层状石墨、氧化剂和酸液进行氧化反应,然后将所得可膨胀石墨在惰性气氛中并在挥发性有机胺蒸气的存在下进行高温固相处理,所述挥发性有机胺蒸气由挥发性有机胺经气化得到且所述挥发性有机胺的结构如式(1)所示,且所述高温固相处理的温度不低于500℃;其中,R1为C1-C5的脂烃基或C6-C10的芳烃基,R2为H或NH2。采用本发明提供的方法制备得到的氮掺杂石墨烯聚集体不仅能够显著提高石墨烯本身的电子导电性,而且还能够显著提高在N-甲基吡咯烷酮中的分散性,极具工业应用前景。NH2-R1-R2  式(1)。

    一种IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路

    公开(公告)号:CN103905019B

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201210589902.4

    申请日:2012-12-31

    CPC classification number: H03K17/567 H03K17/14 H03K17/168 H03K17/785

    Abstract: 本发明提出了一种IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路,包括IGBT模块、MCU、第一光耦和驱动模块,MCU与第一光耦之间连接有第一电阻,驱动模块与IGBT模块之间连接有门极驱动电阻,在第一光耦与驱动模块之间具有积分电路,积分电路包括积分电路等效电阻和第一电容,通过改变积分电路等效电阻的阻值,调节积分电路的时间常数,实现对门极驱动电阻的等效调节。本发明的IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路能够对门极驱动电阻的等效阻值进行调节,无需人工更改门极驱动电阻就能驱动不同功率的IGBT模块,优化了IGBT模块的工作状态。

    一种氮掺杂多孔石墨烯聚集体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108123112B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201611079237.9

    申请日:2016-11-30

    Abstract: 本发明涉及石墨烯领域,公开了一种氮掺杂多孔石墨烯聚集体及其制备方法和应用。所述氮掺杂多孔石墨烯聚集体的制备方法包括将层状石墨、氧化剂和酸液进行氧化反应,得到可膨胀石墨,然后将所述可膨胀石墨在惰性气氛中并在携带有含氮化合物分子的水蒸气的存在下进行高温固相处理,且所述高温固相处理的温度不低于500℃,所述含氮化合物选自尿素、碳酸铵和碳酸氢铵中的至少一种。采用本发明提供的方法能够制备得到氮掺杂多孔石墨烯聚集体,并且这些氮掺杂多孔石墨烯聚集体具有较高的电子导电性以及离子传输效率,这些性能的提升使得这种氮掺杂石墨烯聚集体能够作为锂离子电池正极材料导电剂或者负极材料,极具工业应用前景。

Patent Agency Ranking