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公开(公告)号：CN117396012A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202210768429.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种抛光石墨电极及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用。该抛光石墨电极，包括石墨层和柔性导电基底，所述石墨层通过将水基石墨乳喷涂至柔性导电基底上干燥后进行打磨抛光处理制备得到。在一定压力下将上述抛光石墨电极通过抛光石墨面贴合至钙钛矿太阳能电池的钙钛矿层或空穴传输层上。该抛光石墨电极，导电性好，表面粗糙度小，作为顶电极用于钙钛矿太阳能电池中时，可以与下层结构贴合更充分，显著提升了钙钛矿太阳能电池的性能；通过使用喷涂、打磨抛光、压力贴合等简单、成熟的工艺即可实现电极的制备，操作简单，对设备的依赖程度较低，同时以水基石墨乳为原料，绿色环保且价格低廉，具有潜在的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN117500292A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210861405.9
申请日：2022-07-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池金属顶电极的制备方法。其步骤为：使用物理气相沉积，在柔性衬底上制备一层金属薄膜，金属为银或铜，得到覆盖金属薄膜的柔性衬底；然后浸泡在含有缓蚀剂的乙醇溶液中，取出并吹干，随后再用无水乙醇清洗并吹干，最后将柔性衬底上的金属薄膜与钙钛矿太阳能电池的空穴传输层面对面接触，压力作用下，转移金属薄膜，制备得到钙钛矿太阳能电池金属顶电极。本发明选择相对廉价的金属银或铜作为顶电极材料，显著降低了成本；通过使用化学吸附型缓蚀剂对银或铜薄膜浸泡处理，并清洗除去化学吸附层之外多余的缓蚀剂，避免银或铜腐蚀的同时，还有效保障了银或铜薄膜的表面导电性，作为顶电极所得钙钛矿太阳能电池性能好。
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公开(公告)号：CN110635046A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910899038.X
申请日：2019-09-23
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种碳基双层电极的制备方法及钙钛矿型太阳能电池。其包括以下步骤：步骤1.将导电碳浆料涂覆在柔性导电层上，形成均匀平整的碳浆料层；所述碳浆料层中包含有第一有机溶剂；步骤2.将所述碳浆料层浸泡至置换溶剂中，以去除所述碳浆料层中的第一有机溶剂；步骤3.将所述碳浆料层干燥，得到碳基双层电极，其中，所述置换溶剂为比所述导电碳浆料中的第一有机溶剂易挥发的第二有机溶剂。其通过预先制备成双层膜结构，再整体转移到电池上，免去了将碳导电层从基底剥离的工序，制备工艺简单，能够简单快速地制备用于钙钛矿型太阳能电池的顶电极。用于钙钛矿电池中具有优异的性能。
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公开(公告)号：CN116406172A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310535077.8
申请日：2023-05-12
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种橡皮泥状碳电极及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用。该碳电极为橡皮泥状薄片，包括导电碳粉和难挥发液体。通过将导电碳粉和难挥发液体混合研磨、辊压平整后脱模制备得到。通过施压方式紧密贴合在钙钛矿太阳能电池的空穴传输层表面。该橡皮泥状碳电极具有良好的可塑性，能够在室温、无挥发性溶剂的前提下，与钙钛矿太阳能电池形成良好的电接触，绿色环保、成本低、导电性好，有利于实现钙钛矿太阳能电池的产业化。
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公开(公告)号：CN114864827A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210350092.0
申请日：2022-04-02
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种糖类材料在封装钙钛矿太阳能电池中的应用及封装方法。将熔融状态糖类材料均匀涂布在封装盖板的一面上，然后将封装盖板有糖类材料的一面覆盖到预先制备好的钙钛矿太阳能电池顶电极上，冷却凝固即完成封装。本发明将糖类材料应用于封装钙钛矿太阳能电池中，由熔融态冷却至固态的时间短、封装速度快，且无需额外加压，熔融状态的糖类材料利用盖板重量即可快速高效地排除钙钛矿太阳能电池和盖板材料之间的空气；糖类封装材料绿色环保，价格便宜；封装工艺简单，重复性高，且对钙钛矿太阳能电池本征性能影响很小，且能显著提高电池的光照稳定性，具有工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN109860391A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811644560.5
申请日：2018-12-29
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于激光加工领域，具体涉及一种采用超快激光转移薄膜材料的加工方法，包括：在清洁基板上沉积薄膜材料，得到施主基板；取另一清洁基板作为受主基板，将受主基板与施主基板上的薄膜材料相接触，然后一同放置在激光加工台上，调整激光焦距于合适的位置；通过超快激光、采用合适的激光加工参数在薄膜材料上相应的区域内进行连续扫描使薄膜材料在扫描区域内转移到受主基板上，完成薄膜材料的加工转移。本发明所述方法可以在设计的区域内精确地将相应薄膜材料转移到特定位置，且转移区域的大小可以精细到微米尺寸，实现了转移区域的精确控制，实现了薄膜材料快速且高质量的转移。
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