公开(公告)号：CN102586748A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210029709.5

申请日：2012-02-10

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 赵修建 ,  倪佳苗 ,  耿硕麒 ,  刘启明

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L21/363 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明涉及p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和对应氧化锡同质pn结及其制备，p型Sb掺杂SnO2薄膜的制备是采用Sb掺杂SnO2陶瓷靶材，采用磁控溅射法在单晶Si和石英玻璃上制备；二氧化锡同质pn结是在p型Sb掺杂SnO2薄膜上溅射沉积n型Sb掺杂SnO2薄膜获得的。p型导电Sb掺杂SnO2薄膜导电性能稳定，空穴浓度、空穴迁移率和电导率高，具有空穴浓度高达1020cm-3数量级、电导率高达60S·cm-1，同时空穴迁移率可高达2~30cm2V-1s-1，在可见光具有高透明性，且该制备方法的工艺简单，重复性好，易于工业化，所制备同质氧化锡基的透明pn结，具有宽禁带半导体pn结的伏安曲线特性。