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公开(公告)号:CN111650156A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN202010545061.1
申请日:2020-06-15
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超表面的高品质因数折射率传感器,它的全介质超表面单元由第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块组成,第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块通过电子束蒸发沉积法沉积在透明玻璃基底上,第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块关于全介质超表面单元的中心点呈120°旋转对称,第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块的内侧边缘与全介质超表面单元中心点的距离d均相等,且距离d的范围均为60~70nm。本发明使用高折射率的介电材料避免了金属材料引起的欧姆损耗,具有损耗低的优势,且简单易实现,检测成本低廉。
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公开(公告)号:CN110176472A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201910454149.X
申请日:2019-05-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L27/28 , H01L31/054 , H01L31/074 , H01L31/20 , H01L51/46 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48
Abstract: 本发明公开了一种含光谱选择层的黑磷和晶硅叠层薄膜太阳能电池,叠层薄膜太阳能电池包括从上至下依次涂覆叠加的氧化铟锡电极层、氧化锌纳米粒子缓冲层、富勒烯衍生物与3-己基噻吩聚合物构成的电子传输层、黑磷吸收层、3,4-乙烯二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸钠聚合物空穴传输层、三层不同折射率的掺氢微晶氧化硅叠加构成的光谱选择层、共用氧化铟锡电极层、n型掺氢纳米氧化硅层、i型掺氢非晶硅层、单晶硅吸收层、n型掺氢非晶硅层、p型掺氢纳米氧化硅层、掺铝的氧化锌减反层和银电极层构成。本发明使用了黑磷这一新型吸收层材料,通过光谱选择层减少了反射损失,显著提高了光电转换效率。
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公开(公告)号:CN106441652A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610784911.7
申请日:2016-08-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G01L1/24
CPC classification number: G01L1/246
Abstract: 本发明公开了一种避免温度与应变交叉敏感的光纤光栅锚杆测试装置及方法,其锚杆测试装置包括中空圆柱体结构的外部套管,外部套管的两端分别与左连接体、右连接套螺纹连接,左连接体包括左连接套、应变基座、应变传递体和温度基座,所述左连接套、应变传递体分别与外部套管螺纹连接,应变基座、应变传递体和温度基座位于外部套管的内腔中,温度基座悬空放置,应变基座内设置有测量光栅,温度基座内设置有参考光栅。本发明利用温度—应变处理结构,对温度结果进行补偿,解决了光纤光栅锚杆测量中温度与应变交叉敏感的问题,以及在参考光栅处锚杆形变无法测量的问题,对应变测量精度更高,具有响应速度快、抗干扰能力强、安装空间小、可靠性高的优点。
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公开(公告)号:CN111650156B
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN202010545061.1
申请日:2020-06-15
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超表面的高品质因数折射率传感器,它的全介质超表面单元由第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块组成,第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块通过电子束蒸发沉积法沉积在透明玻璃基底上,第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块关于全介质超表面单元的中心点呈120°旋转对称,第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块的内侧边缘与全介质超表面单元中心点的距离d均相等,且距离d的范围均为60~70nm。本发明使用高折射率的介电材料避免了金属材料引起的欧姆损耗,具有损耗低的优势,且简单易实现,检测成本低廉。
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公开(公告)号:CN110176472B
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN201910454149.X
申请日:2019-05-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L27/28 , H01L31/054 , H01L31/074 , H01L31/20 , H01L51/46 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48
Abstract: 本发明公开了一种含光谱选择层的黑磷和晶硅叠层薄膜太阳能电池,叠层薄膜太阳能电池包括从上至下依次涂覆叠加的氧化铟锡电极层、氧化锌纳米粒子缓冲层、富勒烯衍生物与3‑己基噻吩聚合物构成的电子传输层、黑磷吸收层、3,4‑乙烯二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸钠聚合物空穴传输层、三层不同折射率的掺氢微晶氧化硅叠加构成的光谱选择层、共用氧化铟锡电极层、n型掺氢纳米氧化硅层、i型掺氢非晶硅层、单晶硅吸收层、n型掺氢非晶硅层、p型掺氢纳米氧化硅层、掺铝的氧化锌减反层和银电极层构成。本发明使用了黑磷这一新型吸收层材料,通过光谱选择层减少了反射损失,显著提高了光电转换效率。
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