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公开(公告)号：CN113484943A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110718406.3
申请日：2021-06-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于超材料技术领域，公开了一种激发环偶极子法诺共振的全介质超表面传感器，全介质超表面结构阵列包括若干个全介质超表面单元结构，且周期性地排列在基底上；全介质超表面单元结构包括三个矩形块；第一矩形块的长边与X轴负方向之间形成第一夹角，第二矩形块与第三矩形块分别设置在第一矩形块的两侧，第二矩形块的长边、第三矩形块的长边分别垂直于第一矩形块的长边，第二矩形块与第三矩形块关于全介质超表面单元结构的中心点呈180°旋转对称；第二矩形块、第三矩形块的中心长轴与第一矩形块中心长轴的垂直平分线之间的距离相等。本发明可以在近红外波段激发出高Q值法诺共振，实现高品质因数全介质超表面折射率传感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111650156B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010545061.1
申请日：2020-06-15
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超表面的高品质因数折射率传感器，它的全介质超表面单元由第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块组成，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块通过电子束蒸发沉积法沉积在透明玻璃基底上，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块关于全介质超表面单元的中心点呈120°旋转对称，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块的内侧边缘与全介质超表面单元中心点的距离d均相等，且距离d的范围均为60～70nm。本发明使用高折射率的介电材料避免了金属材料引起的欧姆损耗，具有损耗低的优势，且简单易实现，检测成本低廉。
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公开(公告)号：CN114577753B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210206357.X
申请日：2022-03-02
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及超材料技术领域，具体涉及一种基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器及其制备方法。包括基底层和位于基底层上的全介质超表面结构阵列，全介质超表面结构阵列由若干个全介质超表面单元周期性排列形成，全介质超表面单元为方形块结构，方形块结构在沿x方向的一侧面上设有缺口，各方形块结构上设置的缺口的位置、朝向、形状和大小均相同，设有缺口的全介质超表面单元用于在沿x方向偏振的平面波正入射时，激发沿z方向的磁偶极矩，形成准连续域中的束缚态，并利用所述准连续域中的束缚态形成高Q值的谐振腔。本发明通过破坏结构在x方向的对称性，使连续域束缚态转为准连续域束缚态，从而获得极高的Q值，在很大程度上提高了折射率传感器的传感性能。
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公开(公告)号：CN111650156A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010545061.1
申请日：2020-06-15
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超表面的高品质因数折射率传感器，它的全介质超表面单元由第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块组成，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块通过电子束蒸发沉积法沉积在透明玻璃基底上，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块关于全介质超表面单元的中心点呈120°旋转对称，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块的内侧边缘与全介质超表面单元中心点的距离d均相等，且距离d的范围均为60～70nm。本发明使用高折射率的介电材料避免了金属材料引起的欧姆损耗，具有损耗低的优势，且简单易实现，检测成本低廉。
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公开(公告)号：CN114577753A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210206357.X
申请日：2022-03-02
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及超材料技术领域，具体涉及一种基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器及其制备方法。包括基底层和位于基底层上的全介质超表面结构阵列，全介质超表面结构阵列由若干个全介质超表面单元周期性排列形成，全介质超表面单元为方形块结构，方形块结构在沿x方向的一侧面上设有缺口，各方形块结构上设置的缺口的位置、朝向、形状和大小均相同，设有缺口的全介质超表面单元用于在沿x方向偏振的平面波正入射时，激发沿z方向的磁偶极矩，形成准连续域中的束缚态，并利用所述准连续域中的束缚态形成高Q值的谐振腔。本发明通过破坏结构在x方向的对称性，使连续域束缚态转为准连续域束缚态，从而获得极高的Q值，在很大程度上提高了折射率传感器的传感性能。
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公开(公告)号：CN113484943B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110718406.3
申请日：2021-06-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于超材料技术领域，公开了一种激发环偶极子法诺共振的全介质超表面传感器，全介质超表面结构阵列包括若干个全介质超表面单元结构，且周期性地排列在基底上；全介质超表面单元结构包括三个矩形块；第一矩形块的长边与X轴负方向之间形成第一夹角，第二矩形块与第三矩形块分别设置在第一矩形块的两侧，第二矩形块的长边、第三矩形块的长边分别垂直于第一矩形块的长边，第二矩形块与第三矩形块关于全介质超表面单元结构的中心点呈180°旋转对称；第二矩形块、第三矩形块的中心长轴与第一矩形块中心长轴的垂直平分线之间的距离相等。本发明可以在近红外波段激发出高Q值法诺共振，实现高品质因数全介质超表面折射率传感。
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