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公开(公告)号：CN104627957A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510076789.3
申请日：2015-02-12
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种热解碳微结构电极的制作工艺及其电性能表征方法，包括紫外光刻、热解碳化、掩膜制作、金属电极沉积、剥离浮脱和电性能表征，利用光刻胶的感光性能，通过紫外光刻工艺、半导体加工工艺、惰性气氛下的热解碳化工艺以制作图案化的热解碳微结构；然后通过掩膜制作、金属电极沉积、剥离浮脱工艺，使拟制作电极的部位精确得到电极，制作成与碳微结构相集成的金属电极；通过四探针法，对电性能进行表征。本发明提出了一种基于C-MEMS的优化工艺以制作图案化的热解碳微结构，该工艺融合利用了半导体领域的相关技术与四探针法，工艺简洁、相关技术成熟，可应用于大规模生产，所得到的热解碳微结构有着较好的电性能。
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公开(公告)号：CN104752282A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510089590.4
申请日：2015-02-27
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种用于微纳器件制作的样品处理装置，包括由铁氟龙制作的洗显装置与甩干装置，所述洗显装置包括底盘、通过螺丝固定在所述底盘上的提杆，所述底盘上设有若干矩形凹槽与圆形通孔，所述圆形通孔从所述底盘底面贯穿至所述矩形凹槽底部；所述甩干装置中间设有凹槽、周围设有镂空的齿状边缘；还提供了一种用于微纳器件制作的样品清洗、显影、润洗的处理工艺。本发明的样品处理装置，用于样品清洗、显影、润洗与甩干过程盛放微纳器件，使样品能得到稳定可靠的清洗与甩干；本发明的样品处理工艺，可显著提高样品清洗、显影、润洗的效率，缩短微纳器件制作周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104609366A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510078244.6
申请日：2015-02-13
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明提供了一种新型碳-碳纳米管复合材料高深宽比微结构的制作方法，包括微型硅模具的制作、新型碳-碳纳米管复合材料及高深宽比微结构的制作，所述微型硅模具由紫外光刻和硅的深刻蚀技术制得；所述新型碳-碳纳米管复合材料由多壁碳纳米管和SU-8光刻胶混合所得的光刻胶-碳纳米管复合材料经碳化得到；所述高深宽比微结构可通过背底抽真空的方法在所述微型硅模具中制得。本发明融合了半导体领域的相关技术，工艺简洁、相关技术成熟、可应用于大规模生产，所得到的碳-碳纳米管复合材料的微结构有着较好的机械性能和较高的化学稳定性，可以得到宽度范围在5～100μm，深度范围在200～500μm的微结构，其最高深宽比可达100。
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公开(公告)号：CN104752282B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510089590.4
申请日：2015-02-27
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种用于微纳器件制作的样品处理装置，包括由铁氟龙制作的洗显装置与甩干装置，所述洗显装置包括底盘、通过螺丝固定在所述底盘上的提杆，所述底盘上设有若干矩形凹槽与圆形通孔，所述圆形通孔从所述底盘底面贯穿至所述矩形凹槽底部；所述甩干装置中间设有凹槽、周围设有镂空的齿状边缘；还提供了一种用于微纳器件制作的样品清洗、显影、润洗的处理工艺。本发明的样品处理装置，用于样品清洗、显影、润洗与甩干过程盛放微纳器件，使样品能得到稳定可靠的清洗与甩干；本发明的样品处理工艺，可显著提高样品清洗、显影、润洗的效率，缩短微纳器件制作周期。
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公开(公告)号：CN105990107B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510098596.8
申请日：2015-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明专利提供了一种掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长方法及拉曼光谱表征方法，以GeH4/H2作为锗纳米线生长的前驱体，以PH3/Ar作为掺杂源气体，在金纳米颗粒的催化下，利用低压化学气相沉积(LPCVD)于低温下在硅基板上制得大面积的有序高密度掺杂磷的N型锗纳米线，所述金纳米颗粒通过电子束蒸发获得；所述掺杂磷的N型锗纳米线通过拉曼光谱进行表征。本发明专利利用半导体领域的相关技术和微纳米结构的合成方法，能在低温低压条件下于硅基板上获得高密度大面积的锗纳米线阵列，工艺简单，并可利用拉曼光谱对掺杂磷后的锗纳米线进行有效的表征。
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公开(公告)号：CN105990107A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510098596.8
申请日：2015-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长方法及拉曼光谱表征方法，以GeH4/H2作为锗纳米线生长的前驱体，以PH3/Ar作为掺杂源气体，在金纳米颗粒的催化下，利用低压化学气相沉积(LPCVD)于低温下在硅基板上制得大面积的有序高密度掺杂磷的N型锗纳米线，所述金纳米颗粒通过电子束蒸发获得；所述掺杂磷的N型锗纳米线通过拉曼光谱进行表征。本发明利用半导体领域的相关技术和微纳米结构的合成方法，能在低温低压条件下于硅基板上获得高密度大面积的锗纳米线阵列，工艺简单，并可利用拉曼光谱对掺杂磷后的锗纳米线进行有效的表征。
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公开(公告)号：CN104627957B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510076789.3
申请日：2015-02-12
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种热解碳微结构电极的制作工艺及其电性能表征方法，包括紫外光刻、热解碳化、掩膜制作、金属电极沉积、剥离浮脱和电性能表征，利用光刻胶的感光性能，通过紫外光刻工艺、半导体加工工艺、惰性气氛下的热解碳化工艺以制作图案化的热解碳微结构；然后通过掩膜制作、金属电极沉积、剥离浮脱工艺，使拟制作电极的部位精确得到电极，制作成与碳微结构相集成的金属电极；通过四探针法，对电性能进行表征。本发明提出了一种基于C-MEMS的优化工艺以制作图案化的热解碳微结构，该工艺融合利用了半导体领域的相关技术与四探针法，工艺简洁、相关技术成熟，可应用于大规模生产，所得到的热解碳微结构有着较好的电性能。
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