公开(公告)号：CN116199502B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310172640.X

申请日：2023-02-27

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 刘晓芳 ,  张楠楠 ,  王依诺 ,  周衡卿 ,  高郭旗 ,  李潇

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  B01D71/02 ,  B01D61/14 ,  B01D67/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化铝陶瓷板膜及其制备方法和应用。该氧化铝陶瓷板膜的制备方法，包括：在氧化铝陶瓷基板上依次设置中间牺牲层和功能膜层；再去除所述中间牺牲层，得到所述氧化铝陶瓷板膜；其中所述中间牺牲层由氧化石墨烯‑四硼酸钠交联溶液固化得到。本发明采用中间牺牲层的方法制备氧化铝陶瓷板膜，前期有效阻隔了功能膜层颗粒的渗透，避免基板发生孔堵塞，后期再将中间牺牲层去除，降低了传质阻力，得到的氧化铝陶瓷板膜稳定性强、膜层薄、孔径小、通量高。

公开(公告)号：CN114471627A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210141083.0

申请日：2022-02-16

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 刘晓芳 ,  汪若蘅 ,  何英杰 ,  王依诺 ,  张楠楠 ,  米尔阿力木·麦麦提图尔荪

IPC: B01J27/06 ,  B01J31/06 ,  B01J35/00 ,  B01J35/02 ,  B01J35/06 ,  B01J37/34 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明涉及一种以聚偏氟乙烯为基底的碘硫化锑纳米线复合薄膜及其制备方法、应用。首先以锑单质、硫单质、碘单质为原料，采用声化学法合成了碘硫化锑纳米线；然后以聚偏氟乙烯为膜基底，采用相转化法制备得到了复合薄膜产品。本发明有效解决了现有同类粉末类光催化剂存在的难回收问题以及薄膜类光催化剂存在的降解速率慢等问题，具有工艺简单、成本低廉、安全无害、催化效率高、节约能源等显著优势。降解实验表明，对于染料废水该复合薄膜在60min内实现了98.8％的降解率，更重要的是只需以轻柔的水流作为机械力就能达到如此优异的降解效果。

公开(公告)号：CN117904749A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311739171.1

申请日：2023-12-18

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 刘晓芳 ,  李潇 ,  袁崇晓 ,  高郭旗 ,  周衡卿 ,  张楠楠 ,  孙华君

IPC: D01F9/10 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷领域，尤其涉及一种致密型锆钛酸铅压电陶瓷纳米纤维的制备方法。一种致密型锆钛酸铅压电陶瓷纳米纤维的制备方法，其特征在于：包括步骤：1，制备锆钛酸铅前驱体溶液；2，静电纺丝；3，分段式高温烧制和破碎；采用分段式高温烧制得到的锆钛酸铅压电陶瓷纳米纤维均一且表面致密无孔洞，而且纤维之间存在较大空隙，提高了锆钛酸铅压电陶瓷纳米纤维的压电常数，压电常数为550～580pC/N。

公开(公告)号：CN116199502A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310172640.X

申请日：2023-02-27

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 刘晓芳 ,  张楠楠 ,  王依诺 ,  周衡卿 ,  高郭旗 ,  李潇

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  B01D71/02 ,  B01D61/14 ,  B01D67/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化铝陶瓷板膜及其制备方法和应用。该氧化铝陶瓷板膜的制备方法，包括：在氧化铝陶瓷基板上依次设置中间牺牲层和功能膜层；再去除所述中间牺牲层，得到所述氧化铝陶瓷板膜；其中所述中间牺牲层由氧化石墨烯‑四硼酸钠交联溶液固化得到。本发明采用中间牺牲层的方法制备氧化铝陶瓷板膜，前期有效阻隔了功能膜层颗粒的渗透，避免基板发生孔堵塞，后期再将中间牺牲层去除，降低了传质阻力，得到的氧化铝陶瓷板膜稳定性强、膜层薄、孔径小、通量高。

公开(公告)号：CN116622121A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310498799.0

申请日：2023-04-26

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 刘晓芳 ,  王依诺 ,  白雪云 ,  张楠楠 ,  高郭旗 ,  孙华君

IPC: C08J9/40 ,  B01J31/22 ,  C02F1/30 ,  C02F1/36 ,  C08J9/42 ,  C08J9/28 ,  C08L27/16 ,  C08G83/00 ,  C02F101/30 ,  C02F101/38 ,  C02F101/36 ,  C02F101/34

Abstract: 本发明公开了一种原位生长制备双金属UiO‑66‑NH2@PVDF复合膜的方法、复合膜及应用。该复合膜的制备方法，包括：分别将2‑氨基对苯二甲酸和聚偏氟乙烯分散在溶剂中，得到溶液A和溶液B；将溶液A和溶液B均匀混合得到铸膜液，以铸膜液为原料制备多孔基膜；将所述多孔基膜浸没在含两种不同金属粒子的金属盐溶液中，经原位生长得到双金属UiO‑66‑NH2@PVDF复合膜；所述含两种不同金属粒子的金属盐中至少一种为氯化锆。本发明基于原位生长，双金属UiO‑66‑NH2催化剂颗粒均匀生长在PVDF基底的内部孔洞中，催化剂具有优异的压电光催化活性，结构稳定性更好，不会因为“膜包裹颗粒”而导致部分催化剂无法发挥作用。