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公开(公告)号：CN112746268A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011587080.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种具有偏光效应薄膜镀制的方法。该方法首先通过水热合成制备出粒径达纳米级的卤化银AgX颗粒，然后将纳米卤化银AgX颗粒分散于无机或有机的基础成膜溶液中，通过旋涂、提拉或吹制镀膜法在无机或有机基板表面镀制膜层，镀制后的膜层中含有均匀分散的纳米卤化银AgX颗粒。将镀膜后的有机或无机基板放置于光栅掩模板下，在梯度电场的辅助作用下进行曝光处理，基板表面膜层中的纳米卤化银AgX颗粒被还原成金属纳米银，最终在基板表层形成沿着光栅定向排布的金属纳米银线栅微结构。本发明方法具有可操作性强，制造的偏光片消光比高、好的化学稳定性，偏光响应波长可调以及基板材料选择自由等优点，可以用于光学传感器、光隔离器等光学器件的制备。
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公开(公告)号：CN112746245A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011588950.2
申请日：2020-12-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C14/30 , C23C14/06 , C23C14/58 , B22F9/20 , B22F1/00 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/28 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种镀制具有偏光效应薄膜的方法。该方法首先，在有机或无机的基板表面镀制一层卤化银AgX薄膜，然后将镀膜后的有机或无机的基板放置于光栅掩模板下，在梯度电场的辅助作用下进行曝光处理，基板表面膜层中的卤化银AgX颗粒还原成金属纳米银，最终在基板表层形成沿着光栅定向排布的金属纳米银线栅微结构，所述AgX为AgCl、AgI或AgBr。纳米银线栅之间间隔取决于光栅掩模板的间隔，间隔从100nm‑2um进行调整，同时偏振光响应的光波段从可见光‑近红外‑红外光段变化。本发明方法具有可操作性强，制造的偏光片消光比高、好的化学稳定性，偏光响应波长可调以及基板材料选择自由等优点，可以用于光学传感器、光隔离器等光学器件的制备。
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公开(公告)号：CN112746268B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011587080.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种具有偏光效应薄膜镀制的方法。该方法首先通过水热合成制备出粒径达纳米级的卤化银AgX颗粒，然后将纳米卤化银AgX颗粒分散于无机或有机的基础成膜溶液中，通过旋涂、提拉或吹制镀膜法在无机或有机基板表面镀制膜层，镀制后的膜层中含有均匀分散的纳米卤化银AgX颗粒。将镀膜后的有机或无机基板放置于光栅掩模板下，在梯度电场的辅助作用下进行曝光处理，基板表面膜层中的纳米卤化银AgX颗粒被还原成金属纳米银，最终在基板表层形成沿着光栅定向排布的金属纳米银线栅微结构。本发明方法具有可操作性强，制造的偏光片消光比高、好的化学稳定性，偏光响应波长可调以及基板材料选择自由等优点，可以用于光学传感器、光隔离器等光学器件的制备。
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