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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105854887A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610176351.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: B01J23/83 , B01J23/002 , B01J35/08 , B01J35/1014
Abstract: 本发明公开了一种钴铈双金属氧化物纳米球，其制备方法包括如下步骤：首先合成氧化铈多孔纳米球作为载体，将氧化铈纳米球与氯化钴水溶液混合均匀后加入沉淀剂使钴离子完全沉淀，再将混合物转到反应釜中进行水热反应，反应结束后将所得产物经过离心洗涤去除残留溶剂并干燥，最后进行煅烧、冷却后即得到钴铈双金属氧化物纳米球。本发明所述钴铈双金属氧化物纳米球具有形貌均一、比表面积大等优点，且涉及的制备方法简易、设备简单、原料价格低廉、重复性好，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN101118378A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710053016.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及金刚石表面图形化的制备方法。金刚石表面图形化的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)金刚石表面的清洁；2)金刚石表面隔离层的制备；3)隔离层表面光刻胶图案的制备；4)金刚石表面隔离层图案的制备；5)去除金刚石隔离层表面残留的光刻胶；6)金刚石表面刻蚀用的金属薄层的制备；7)将步骤6)制备好的表面有金属薄层的金刚石放入真空室中，通入工作气体，利用电能或电磁能激发产生等离子体，在800－900℃的温度下对金刚石进行刻蚀，得表面图形化的金刚石；8)清除金刚石表面残余的金属薄层，得到表面图形化了的金刚石。本发明具有可以大面积制备、易于操作、制备耗时短、对多晶金刚石晶界无明显的优先刻蚀等优点。
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公开(公告)号：CN105854887B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610176351.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种钴铈双金属氧化物纳米球，其制备方法包括如下步骤：首先合成氧化铈多孔纳米球作为载体，将氧化铈纳米球与氯化钴水溶液混合均匀后加入沉淀剂使钴离子完全沉淀，再将混合物转到反应釜中进行水热反应，反应结束后将所得产物经过离心洗涤去除残留溶剂并干燥，最后进行煅烧、冷却后即得到钴铈双金属氧化物纳米球。本发明所述钴铈双金属氧化物纳米球具有形貌均一、比表面积大等优点，且涉及的制备方法简易、设备简单、原料价格低廉、重复性好，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN101358356A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810048453.6
申请日：2008-07-18
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于金刚石电极制备领域。高比表面金刚石电极的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)金属电极的清洗；2)导电金刚石膜的制备；3)在导电的金刚石膜表面制备固体刻蚀材料；4)等离子体辅助固体接触法腐蚀金刚石膜表面；5)用酸溶液溶解金刚石膜表面的残留固体刻蚀材料，得高比表面金刚石电极。本发明具有可以大面积制备、易于操作、制备耗时短等优点。
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公开(公告)号：CN101118378B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710053016.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及金刚石表面图形化的制备方法。金刚石表面图形化的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)金刚石表面的清洁；2)金刚石表面隔离层的制备；3)隔离层表面光刻胶图案的制备；4)金刚石表面隔离层图案的制备；5)去除金刚石隔离层表面残留的光刻胶；6)金刚石表面刻蚀用的金属薄层的制备；7)将步骤6)制备好的表面有金属薄层的金刚石放入真空室中，通入工作气体，利用电能或电磁能激发产生等离子体，在800—900℃的温度下对金刚石进行刻蚀，得表面图形化的金刚石；8)清除金刚石表面残余的金属薄层，得到表面图形化了的金刚石。本发明具有可以大面积制备、易于操作、制备耗时短、对多晶金刚石晶界无明显的优先刻蚀等优点。
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