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公开(公告)号：CN101358356A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810048453.6
申请日：2008-07-18
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于金刚石电极制备领域。高比表面金刚石电极的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)金属电极的清洗；2)导电金刚石膜的制备；3)在导电的金刚石膜表面制备固体刻蚀材料；4)等离子体辅助固体接触法腐蚀金刚石膜表面；5)用酸溶液溶解金刚石膜表面的残留固体刻蚀材料，得高比表面金刚石电极。本发明具有可以大面积制备、易于操作、制备耗时短等优点。
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公开(公告)号：CN101118378A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710053016.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及金刚石表面图形化的制备方法。金刚石表面图形化的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)金刚石表面的清洁；2)金刚石表面隔离层的制备；3)隔离层表面光刻胶图案的制备；4)金刚石表面隔离层图案的制备；5)去除金刚石隔离层表面残留的光刻胶；6)金刚石表面刻蚀用的金属薄层的制备；7)将步骤6)制备好的表面有金属薄层的金刚石放入真空室中，通入工作气体，利用电能或电磁能激发产生等离子体，在800－900℃的温度下对金刚石进行刻蚀，得表面图形化的金刚石；8)清除金刚石表面残余的金属薄层，得到表面图形化了的金刚石。本发明具有可以大面积制备、易于操作、制备耗时短、对多晶金刚石晶界无明显的优先刻蚀等优点。
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公开(公告)号：CN101118378B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710053016.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及金刚石表面图形化的制备方法。金刚石表面图形化的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)金刚石表面的清洁；2)金刚石表面隔离层的制备；3)隔离层表面光刻胶图案的制备；4)金刚石表面隔离层图案的制备；5)去除金刚石隔离层表面残留的光刻胶；6)金刚石表面刻蚀用的金属薄层的制备；7)将步骤6)制备好的表面有金属薄层的金刚石放入真空室中，通入工作气体，利用电能或电磁能激发产生等离子体，在800—900℃的温度下对金刚石进行刻蚀，得表面图形化的金刚石；8)清除金刚石表面残余的金属薄层，得到表面图形化了的金刚石。本发明具有可以大面积制备、易于操作、制备耗时短、对多晶金刚石晶界无明显的优先刻蚀等优点。
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