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公开(公告)号：CN108385086A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810200818.6
申请日：2018-03-12
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及一种基片台系统，包括基片台，基片台的下方在不同区域分布有尺寸不同的水冷管。一种提高金刚石膜生长均匀性的方法，具体包括如下步骤：构建基片台系统；金刚石膜的沉积：在利用微波放电产生等离子体球的腔体中，通过控制基片台不同区域的水冷散热效率，使基片台获得从中央到边缘区域由高到低的梯度散热效果，从而在基片表面建立均匀的温度分布状态，达到提高微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的均匀性的目的；金刚石膜样品的取出。本发明的有益效果为：具有易于加工安装，高效控制基片台各区域的温度，有效增加基片台表面温度分布的均匀性，利于沉积均匀金刚石膜等优点。
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