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公开(公告)号:CN114781125A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202210286545.8
申请日:2022-03-22
Applicant: 武汉工程大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种提高Hong‑Ou‑Mande干涉度的方法,通过对泵浦光进行强聚焦,使泵浦光的入射角变多,不同入射角对应的双光子联合频谱分布不同;把这些不同的分量叠加到一起,明显改善了双光子光谱的交换对称性,实现了极大地提高了干涉可见度的功能。本发明采用强聚焦的方法来提高光谱的对称性,保证了光源的高度不被衰减。本发明建立了一个立体数学模型用于精确计算泵浦光光斑的不同光点所对应的入射角,由此集合不同入射角处的联合频谱强度(JSI)分布得到聚焦后总的JSI分布。
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公开(公告)号:CN213341063U
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN202022559564.2
申请日:2020-11-09
Applicant: 武汉工程大学
IPC: H01S3/04
Abstract: 本申请提供一种非线性晶体温控装置,属于激光器制造领域。其晶体托块设置在支架底座的正上方,且晶体托块的顶部开设有容置口;可调节铜片可移动地设置在容置口中,并与容置口的侧壁共同构成用于容置非线性晶体的容置槽;保温绝缘外壳罩设在晶体托块的正上方,且相对两端处均开设有第一开口,保温绝缘外壳的相对两个侧壁的中部均开设有第二开口;半导体电子制冷片安装于支架底座与晶体托块之间,热敏电阻探头嵌入晶体托块中,电源电连接于数显电脑温控器,数显电脑温控器分别与半导体电子制冷片、热敏电阻探头电连接,用于对非线性晶体进行温度控制。该装置结构简单、成本较低,且加热效果好、操作安全。
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