公开(公告)号：CN118267861A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410326966.8

申请日：2024-03-21

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 朱丽 ,  徐慢 ,  田雨 ,  王树林 ,  雷煜 ,  丁国民 ,  石和彬 ,  邹雪郎

IPC: B01D67/00 ,  B01D71/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/02 ,  B01D61/00 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/44 ,  C02F101/30 ,  C02F101/16

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅纳米线纳滤膜及其制备方法与应用，属于膜材料技术领域。该纳滤膜以碳源、硅源为原料，利用高温使原料发生碳热还原反应，产生气态中间产物，作为化学气相沉积工艺中的气源进行反应，在大孔碳化硅陶瓷支撑体上原位生长β‑SiC纳米线，纳米线自编织成孔径可控的小孔β‑SiC纳米线纳滤膜，另外β‑SiC纳米线底端“锚”在大孔支撑体上，通过“扎根”的方式，提高膜层结合力。与现有技术相比，本发明的制备方法烧成温度更低，烧成制度和工艺更加简单，且制备的膜层为超多孔的三维网络结构，不仅渗透通量大，而且渗透阻力小，且过滤过程中不容易被污染物堵塞，有利于作为膜层过滤材料。