Patent search ap:("武汉工程大学") AND inv:"王乾" Page 1

1.

发明公开
基于ZIF-67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN116556069A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310255055.6

申请日：2023-03-16

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 江南 , 王乾 , 吕中 , 刘紫薇 , 杨浩

IPC: D06M15/687 , C08G83/00 , D06M101/06

Abstract: 本发明涉及纳米材料原位合成及纺织物改性技术领域，具体涉及一种基于ZIF‑67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布及其制备方法和应用。该制备方法在棉布上原位合成ZIF‑67纳米颗粒，得到基于ZIF‑67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布。本发明所提供的制备方法的优点在于工艺简单、生产成本低廉；所制备得到的改性棉布在近红外光(Near Infrared，NIR)照射下温度30s内可达120℃，并在NIR照射3min后杀灭表面99.99％的耐药细菌。

Patent Agency Ranking