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公开(公告)号:CN116556069A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310255055.6
申请日:2023-03-16
Applicant: 武汉工程大学
IPC: D06M15/687 , C08G83/00 , D06M101/06
Abstract: 本发明涉及纳米材料原位合成及纺织物改性技术领域,具体涉及一种基于ZIF‑67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布及其制备方法和应用。该制备方法在棉布上原位合成ZIF‑67纳米颗粒,得到基于ZIF‑67纳米颗粒原位合成的光热抗菌改性棉布。本发明所提供的制备方法的优点在于工艺简单、生产成本低廉;所制备得到的改性棉布在近红外光(Near Infrared,NIR)照射下温度30s内可达120℃,并在NIR照射3min后杀灭表面99.99%的耐药细菌。