公开(公告)号：CN113849764B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202111051186.X

申请日：2021-09-08

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 王凤 ,  熊章涛 ,  廖青 ,  张茹

IPC: G06F17/11 ,  G06F17/15 ,  G06F17/18

Abstract: 本发明提供了一种基于阿秒条纹重构非均匀场空间依赖系数的方法，针对现有技术中尚未得到研究的非均匀红外场辅助下的原子单光子电离过程，通过电子光辐射时间实现了重构非均匀红外场的空间依赖系数的功能。本发明反映了非均匀红外场辅助下原子单光子电离中电子的动力学过程。本发明用于实现对纳米结构附近等离子增强电场进行成像。

公开(公告)号：CN113849764A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111051186.X

申请日：2021-09-08

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 王凤 ,  熊章涛 ,  廖青 ,  张茹

IPC: G06F17/11 ,  G06F17/15 ,  G06F17/18

Abstract: 本发明提供了一种基于阿秒条纹重构非均匀场空间依赖系数的方法，针对现有技术中尚未得到研究的非均匀红外场辅助下的原子单光子电离过程，通过电子光辐射时间实现了重构非均匀红外场的空间依赖系数的功能。本发明反映了非均匀红外场辅助下原子单光子电离中电子的动力学过程。本发明用于实现对纳米结构附近等离子增强电场进行成像。