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公开(公告)号：CN119663213A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510183071.8
申请日：2025-02-19
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明提供一种适用于刻蚀机零部件的Y2O3‑BZO复合涂层的制备方法，包括以下步骤：S1、取衬底进行清洗，吹干，UV光清洗机二次清洁；S2、将步骤S1中衬底置于磁控溅射镀膜机内，边抽真空边加热，达到本底真空后通入氩气，对Y2O3和BZO靶材进行预溅射；S3、预溅射完成后打开挡板，调节腔体气压，正式溅射开始，正式溅射采用交替溅射形式分别对Y2O3和BZO靶材进行溅射形成堆叠复合涂层，溅射完毕后取出衬底；S4、将步骤S3中的衬底进行真空退火，自然降温，即得Y2O3‑BZO堆叠复合涂层。改复合涂层采取交替溅射形式形成堆叠复合涂层，具备良好的耐刻蚀性能，能大幅提高刻蚀机的使用寿命，减少对晶圆造成的污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118549495A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411012134.5
申请日：2024-07-26
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnWO4/ZnO复合材料的三乙胺气敏传感器及其制备方法。该气敏传感器包括绝缘陶瓷管，所述绝缘陶瓷管的表面两端分别带有电极，所述绝缘陶瓷管的内部穿设加热丝，所述电极、加热丝分别与传感器底座上的电极相连，所述电极的表面以及电极之间的绝缘陶瓷管的表面涂覆有ZnWO4/ZnO复合材料，所述ZnWO4/ZnO复合材料由ZnO分级微球加入到偏钨酸铵溶液中，超声反应后，反应物经干燥、煅烧得到。该传感器最佳工作温度仅为160℃，在0.5~40ppm都具有较好的线性度，且灵敏度（Ra/Rg）高。
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公开(公告)号：CN119663213B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510183071.8
申请日：2025-02-19
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明提供一种适用于刻蚀机零部件的Y2O3‑BZO复合涂层的制备方法，包括以下步骤：S1、取衬底进行清洗，吹干，UV光清洗机二次清洁；S2、将步骤S1中衬底置于磁控溅射镀膜机内，边抽真空边加热，达到本底真空后通入氩气，对Y2O3和BZO靶材进行预溅射；S3、预溅射完成后打开挡板，调节腔体气压，正式溅射开始，正式溅射采用交替溅射形式分别对Y2O3和BZO靶材进行溅射形成堆叠复合涂层，溅射完毕后取出衬底；S4、将步骤S3中的衬底进行真空退火，自然降温，即得Y2O3‑BZO堆叠复合涂层。改复合涂层采取交替溅射形式形成堆叠复合涂层，具备良好的耐刻蚀性能，能大幅提高刻蚀机的使用寿命，减少对晶圆造成的污染。
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公开(公告)号：CN118549495B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411012134.5
申请日：2024-07-26
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnWO4/ZnO复合材料的三乙胺气敏传感器及其制备方法。该气敏传感器包括绝缘陶瓷管，所述绝缘陶瓷管的表面两端分别带有电极，所述绝缘陶瓷管的内部穿设加热丝，所述电极、加热丝分别与传感器底座上的电极相连，所述电极的表面以及电极之间的绝缘陶瓷管的表面涂覆有ZnWO4/ZnO复合材料，所述ZnWO4/ZnO复合材料由ZnO分级微球加入到偏钨酸铵溶液中，超声反应后，反应物经干燥、煅烧得到。该传感器最佳工作温度仅为160℃，在0.5~40ppm都具有较好的线性度，且灵敏度（Ra/Rg）高。
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公开(公告)号：CN118516652B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410997168.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明提供一种具有致密性和耐刻蚀性Y2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将衬底清洗，吹干，置于UV光清洗机中进行活化处理；S2、将步骤S1中衬底置于磁控溅射镀膜机内，边抽真空边加热，达到本底真空后通入氩气，对Y2O3靶材进行预溅射，预溅射完成后打开挡板，调节腔体气压，正式溅射开始，溅射完毕后取出衬底；S3、将步骤S2中衬底在800~1000℃条件下进行真空退火，退火过程中持续通入O2，退火完成后在真空环境下自然降温，即完成Y2O3薄膜的制备。本发明制备的Y2O3薄膜具有致密性和耐刻蚀性，可以应用于刻蚀设备，提高设备使用寿命的同时还可提升设备性能。
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公开(公告)号：CN118516652A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410997168.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明提供一种具有致密性和耐刻蚀性Y2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将衬底清洗，吹干，置于UV光清洗机中进行活化处理；S2、将步骤S1中衬底置于磁控溅射镀膜机内，边抽真空边加热，达到本底真空后通入氩气，对Y2O3靶材进行预溅射，预溅射完成后打开挡板，调节腔体气压，正式溅射开始，溅射完毕后取出衬底；S3、将步骤S2中衬底在800~1000℃条件下进行真空退火，退火过程中持续通入O2，退火完成后在真空环境下自然降温，即完成Y2O3薄膜的制备。本发明制备的Y2O3薄膜具有致密性和耐刻蚀性，可以应用于刻蚀设备，提高设备使用寿命的同时还可提升设备性能。
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