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公开(公告)号：CN102251230A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110185851.4
申请日：2011-07-04
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及材料领域，特别是一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法。一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)基片台系统的组装，基片台系统包括带有水冷冷却系统的不锈钢基片台、陶瓷棒、石英半环、真空腔体、微波源、波导通道；2)通过装卸门将基片放置在不锈钢基片台的上端面上；在含碳气体的气氛下，用微波放电的方式，在低气压下将在基片上方高聚集的含碳气源激发产生等离子体，并在基片上方形成等离子体密度高且稳定的等离子体球，从而达到提高化学气相沉积金刚石膜速率的目的；3)基片台系统的拆卸。本发明具有沉积速率快、金刚石膜质量高、工艺简单，易于操作。
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