公开(公告)号：CN107551827A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710700800.8

申请日：2017-08-16

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 陈常连 ,  黄小雨 ,  王璀璨 ,  徐慢 ,  黄志良 ,  季家友 ,  马东 ,  叶旭辉

IPC: B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  B01D46/54 ,  B01D61/00 ,  C02F1/44 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种氮化硅晶须结合碳化硅陶瓷膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将硅粉和碳化硅粉体按照适当的比例混合，再掺入2-8wt％的烧结助剂，加水配制成质量分数为15～25％的水溶性浆料，然后将其与质量浓度为1.5％的PEG溶液混合，调节pH至9～11后球磨均匀，最后将浆料涂覆在碳化硅多孔陶瓷支撑体上，干燥后烧成。本发明采用氮化硅晶须结合碳化硅的形式制备得到的陶瓷过滤膜，孔径分布窄，大小在0.5-1μm，且具有一定强度。