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公开(公告)号：CN100463233C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710052394.5
申请日：2007-06-07
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于染料敏化纳米晶太阳能电池的核壳结构杂化电极的制备方法，以TiO2胶体为原料采用粉末涂覆法制备TiO2纳米晶膜。在TiO2纳米晶膜上反应直流磁控溅射沉积MgO，制备TiO2(MgO)核壳结构的杂化电极。本发明的有益效果在于：解决了染料敏化太阳能电池中TiO2/电解质界面电荷复合大的缺点，有利于提高染料敏化太阳能电池的光电转换效率。该方法制备的染料敏化太阳能电池的各项光电参数均有提高，是一种提高太阳能电池光电转换效率的有效方法。此外，该方法生产工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN100358162C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410060842.2
申请日：2004-09-13
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用纳米颗粒制备纳米晶薄膜的方法，采用粉末涂覆法，即混合球磨、涂覆、烧结，将纳米颗粒粉末与乙醇、乙酰丙酮混合并球磨0.5～5小时，之后再加入乙醇和曲酮Triton X-100，继续球磨1～10小时；所述的涂覆过程温度为10～70℃。该方法不仅生产工艺简单、成本低廉，而且适应范围广，特别是解决了微胶体溶液储存期短而易沉淀聚集的难题，减少了聚集对纳米晶薄膜性能的影响。该方法是一种具有很大发展潜力和市场前景的新型方法。
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公开(公告)号：CN100451164C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510019948.2
申请日：2005-12-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种用溶胶凝胶工艺制备PST[(Pb，Sr)TiO3]及其Ba固溶、Mg/Mn/K掺杂材料体系的方法，该方法是将Pb、Sr或者Pb、Sr、Ba或者Pb、Sr及Mg/Mn/K的醋酸盐溶解于冰醋酸，将含量为0-40V%乙二醇甲醚和钛酸四丁酯混合均匀，再将上述两种溶液在40-120℃温度下混合搅拌，然后加入乙二醇，调整冰醋酸的量，在一定温度保温加热，室温下过滤，匀胶投膜，退火结晶，或过滤后煅烧溶胶。可分别得到PST及其Ba固溶、Mg/Mn/K掺杂材料体系的薄膜或粉体。这种方法特别适合掺杂和含有低熔点元素的介电薄膜的制备，具有步骤简、合成温度低、保温时间短的优点。而且薄膜的一致性好，非常利于含有低熔点物质的合成，易与IC工艺兼容，为微波调谐器件的制备奠定了扎实的基础。
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公开(公告)号：CN101101938A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710052522.6
申请日：2007-06-21
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池杂化电极的制备方法，其特征在于：在TiO2纳米晶膜上反应直流磁控溅射沉积Al2O3层，制备TiO2(Al2O3)杂化电极。该方法可以同时提高染料敏化纳米晶太阳能电池的短路电流、开路电压和填充因子，是一种提高染料敏化纳米晶太阳能电池光电效率的有效方法，且生产工艺简单、成本低廉，重复性好。
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公开(公告)号：CN1588650A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410060842.2
申请日：2004-09-13
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用纳米颗粒制备纳米晶薄膜的方法，采用粉末涂覆法，即混合球磨、涂覆、烧结，将纳米颗粒粉末与乙醇、乙酰丙酮混合并球磨0.5～5小时，之后再加入乙醇和曲酮Triton X－100，继续球磨1～10小时；所述的涂覆过程温度为10～70℃。该方法不仅生产工艺简单、成本低廉，而且适应范围广，特别是解决了微胶体溶液储存期短而易沉淀聚集的难题，减少了聚集对纳米晶薄膜性能的影响。该方法是一种具有很大发展潜力和市场前景的新型方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100379033C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410060843.7
申请日：2004-09-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01G9/20 , H01M14/00 , H01M4/04
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于染料敏化纳米晶薄膜太阳能电池的新型杂化电极的制备方法，杂化电极包括溅射沉积层和纳米晶二氧化钛层两层。溅射沉积层通过反应直流磁控溅射法沉积于导电玻璃的导电层上，并具有良好的粗糙性。采用传统粉末涂覆法制备一层纳米晶二氧化钛薄膜层。该方法有利于提高染料敏化纳米晶太阳能电池的光电参数，是一种提高太阳能电池光电转换效率的有效方法。此外，该方法生产工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN101090141A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710052548.0
申请日：2007-06-26
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种应用于染料敏化太阳能电池的，电绝缘盐修饰的杂化电极的制备方法，其特征在于步骤是：①.配制5mM～0.1M的Sr(CH3COO)2溶液；②.将TiO2纳米晶膜浸入Sr(CH3COO)2溶液中，反应完成后取出并用去离子水冲洗并烘干；③.热处理修饰后的TiO2纳米晶膜，即可得到SrCO3修饰的TiO2杂化电极。本发明的有益效果在于：解决了染料敏化太阳能电池中TiO2/电解质界面电荷复合大的缺点，有利于提高染料敏化太阳能电池的光电转换效率，而且该方法生产工艺简单、易操作、不依赖任何大型设备、成本低廉。
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公开(公告)号：CN1288205C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200510018112.0
申请日：2005-01-06
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种共混膜，包括分子量为103-106的聚偏氟乙烯、分子量为103-107的聚环氧乙烷、粒径为5-100纳米的无机氧化物、20～10∶1摩尔比的氧化还原电对碘化锂/碘。其制法为，将聚偏氟乙烯和聚环氧乙烷混合后，加入至碳酸丙烯酯和二甲醚混合溶液中，并在50～100℃下搅拌均匀；加入纳米无机氧化物和氧化还原电对碘化锂/碘的乙氰溶液；按流延法，在50～115℃下制备共混薄膜。本发明生产工艺简单、成本低廉、效率高，适应范围广。本发明共混膜可作为染料敏化纳米晶太阳能电池的固态电解质，且能提高电池转换效率；有效减少电池界面电荷复合对器件性能的影响；是一种具有很大发展潜力和市场前景的新型材料。
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公开(公告)号：CN1776523A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510019949.7
申请日：2005-12-05
Applicant: 武汉大学
IPC: G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种低成本简易光刻掩膜的制作方法，其具体制作步骤为，用菲林输出带有设计图样的高分辨率胶片粘贴到石英玻璃上作为初始光刻掩膜，再将用胶片制得的光刻掩膜的图样面紧贴涂有光刻胶的镀铬玻璃，然后利用光刻技术对涂有2～40um厚光刻胶的铬玻璃曝光、显影、吹干后，在90℃～130℃温度软烘3～10分钟(优选温度为110℃～120℃)，使的光刻胶图形平滑，再用传统的湿法刻蚀技术刻蚀掉没有光刻胶保护的金属铬薄膜，除去残留光刻胶得到标准的光刻掩膜。该方法不仅制作工艺简单、成本低廉，而且特别适合于最小线宽在20um的生化分析芯片光刻掩膜及其他最小线宽在20um以上光刻掩膜的制备。
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公开(公告)号：CN1654531A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510018112.0
申请日：2005-01-06
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种共混膜，包括分子量为103－106的聚偏氟乙烯、分子量为103－107的聚环氧乙烷、粒径为5－100纳米的无机氧化物、20～10∶1摩尔比的氧化还原电对碘化锂/碘。其制法为，将聚偏氟乙烯和聚环氧乙烷混合后，加入至碳酸丙烯酯和二甲醚混合溶液中，并在50～100℃下搅拌均匀；加入纳米无机氧化物和氧化还原电对碘化锂/碘的乙氰溶液；按流延法，在50～115℃下制备共混薄膜。本发明生产工艺简单、成本低廉、效率高，适应范围广。本发明共混膜可作为染料敏化纳米晶太阳能电池的固态电解质，且能提高电池转换效率；有效减少电池界面电荷复合对器件性能的影响；是一种具有很大发展潜力和市场前景的新型材料。
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