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公开(公告)号：CN117637041A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311632827.X
申请日：2023-11-29
Applicant: 武汉大学
IPC: G16C10/00 , G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种结合原子演化信息的电迁移过程仿真方法、系统及电子设备,本发明针对电子封装器件在服役过程中传统模拟方法难以描述电迁移(EM)中的空洞生长及扩展现象的缺陷，结合有限元模拟方法(FEM)，通过识别温度和密度信息文件，采用迭代算法来计算原子受力信息，利用可视化软件得到迭代求解后的原子演化信息。本发明摆脱了通过质量通量微分方程求解原子浓度数学方法上较为繁琐的限制，通过分子动力学(MD)模拟电迁移过程中的原子演化，为在微观尺度上研究电迁移过程中的空洞形成和扩展提供了理论依据。
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