公开(公告)号：CN116682898A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310569004.0

申请日：2023-05-17

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  孙珂 ,  蒋晶晶

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED和柔性驱动背板之间的键合方法，首先对Micro‑LED芯片表面进行绝缘处理；随后，在柔性驱动背板上通过光刻工艺暴露出Micro‑LED键合的目标区域，并在该区域上溅射金属键合种子层；接着，在种子层上通过光刻暴露出键合的金属沉积区域；然后，将Micro‑LED转移至柔性驱动背板，并施加压力调整Micro‑LED的倾斜度；最后，通过电镀工艺在种子层上生长金属，形成Micro‑LED与柔性驱动背板电路之间的电气连接。该方法可以实现Micro‑LED与柔性驱动背板之间高效可靠的键合，有利于实现Micro‑LED在柔性显示领域的高可靠性和高性能应用。

公开(公告)号：CN115939016A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310002220.7

申请日：2023-01-03

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  孙珂 ,  钱胤佐 ,  蒋晶晶

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48

Abstract: 本申请公开了用于Micro‑LED巨量转移的装置及制备方法。本方案中，通过光刻工艺定义两级微孔结构，制造出巨量转移装置的模具；在模具中填入PDMS并烘烤，再通过反应离子刻蚀去除残余PDMS，制造出具有两级微孔结构的PDMS；再将PDMS转移至玻璃基板上，获得了用于Micro‑LED巨量转移的装置。所述的装置能够实现将Micro‑LED芯片快速准确地转移至目标背板上，且不会造成芯片的损伤，有利于提高Micro‑LED芯片巨量转移的效率和良率。

公开(公告)号：CN115832144A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211602087.0

申请日：2022-12-13

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  钱胤佐 ,  孙珂 ,  杜鹏

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请公开了具有p反射电极的倒装Micro‑LED芯片及其制备方法。本方案中，采用透明导电层作为p反射电极与p型氮化镓层之间的接触层，并且通过快速热退火工艺使ITO透明导电层与p型氮化镓之间形成良好的欧姆接触，再沉积具有高反射率的金属材料作为p反射电极，将在多量子阱有源区中产生的向电极方向传播的光反射回去，从而提高倒装Micro‑LED芯片的光输出功率。同时为了抑制金属银或者金属铝在芯片制备过程以及使用过程中的由于扩散团簇以及氧化所导致的反射率退化情况，采用具有较大张应力的金属材料作为阻挡层，将底层活泼金属表面和侧面包覆，抑制底层活泼金属的扩散团簇以及氧化，从而有效抑制金属电迁移。

公开(公告)号：CN119967965A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510040598.5

申请日：2025-01-10

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  辜玉慧 ,  孙珂

IPC: H10H20/831 ,  H10H20/833 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种共平面共阴极Micro‑LED显示芯片及制备方法和应用，所述Micro‑LED显示芯片包括衬底以及衬底上的n‑GaN层，还包括通过n‑GaN层连接的若干芯片结构，以及DBR层、n电极和p电极；所述芯片结构由下至上包括多量子阱有源层、p‑GaN层、透明导电层；所述n电极包括与n‑GaN层接触的第一连接端以及第一外延端；所述p电极包括与透明导电层接触的第二连接端以及第二外延端；所述第一外延端和所述第二外延端平齐；所述n‑GaN层、芯片结构、n电极和p电极之间的空间由所述DBR层填充形成平面结构。本发明采用共平面共阴极的显示芯片结构，能够降低Micro‑LED显示芯片的集成难度，并增加其与未来集成电路3D封装的兼容性。

公开(公告)号：CN117153956A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310877958.8

申请日：2023-07-17

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  廖喆夫 ,  孙珂 ,  蒋晶晶

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种倒装Micro‑LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括，在蓝宝石单元表面依次生长n型AlGaN层、多量子阱有源区层、p型AlGaN层和p型GaN层；蓝宝石单元内部带有有序排列的气孔；随后刻蚀p型GaN层，p型AlGaN层，多量子阱有源区层和n型AlGaN层，刻蚀后n型AlGaN层为台面结构包括下底、肩部和上凸起，在刻蚀后的n型AlGaN层的肩部制备n型电极，在刻蚀后的p型GaN层表面制备p型电极，使用焊盘将n型电极和p型电极导通后在蓝宝石单元另一面形成褶皱图案，得到倒装Micro‑LED芯片。本发明使用高反射率低阻的Ni/Rh/Ni/Au电极与p型GaN形成良好的欧姆接触，制备有序排列的气孔和褶皱图案。使得倒装Micro‑LED芯片的电压降低和光提取效率增强，得到了高效率的倒装Micro‑LED芯片。