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公开(公告)号：CN105158849A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510703267.1
申请日：2015-10-26
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件，本发明方法在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的介质膜；在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口；在掩模窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；制作调制电极；对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面进行切割，在光输入端面和光输出端面分别制作有增透作用的介质膜；采用本发明的方法，能显著提高铌酸锂光波导芯片的偏振消光比，改善芯片的光学特性。
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公开(公告)号：CN104158086A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410426431.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，包括顺次设置于半导体衬底（11）上的下波导层（12）、有源层（13）、上波导层（14）、隔离层（15）、盖帽层（16）、欧姆接触层（17），盖帽层（16）和欧姆接触层（17）组成脊型波导，所述脊型波导表面设置有金属电极（18），其特征为：所述金属电极（18）相对半导体发光器件发光端面倾斜或者弯曲的区域两侧设置有金属层或者多层介质膜层，所述金属层或者多层介质膜层设置于隔离层（15）表面，本发明产品制作工艺简单，能有效地减小发光端面反射率，改进输出光谱的质量与稳定性。
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公开(公告)号：CN100367586C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03128017.X
申请日：2003-05-23
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种多量子阱超辐射发光二极管，采用铝镓铟砷/铟磷AlGaInAs/InP材料，有源区的发光波长范围是1.25μm到1.65μm，包括在n型铟磷InP衬底上依次有下包层，位于上限制层和下限制层之间的多量子阱有源区，其中阱的厚度为5-10nm，有源区阱垒的总厚度为10-500nm，在上限制层之上依次为上包层，腐蚀截止层，光限制层和欧姆接触层。采用倒台形脊波导结构，倒台形脊波导两侧是聚合物平面掩埋层，其上是平面电极。其中波导方向与超辐射发光二极管SLED出光端面的夹角θ为75-85°。两出光端面镀10-3～10-4反射率的高增透多层光学介质膜。
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公开(公告)号：CN104158086B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410426431.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，包括顺次设置于半导体衬底（11）上的下波导层（12）、有源层（13）、上波导层（14）、隔离层（15）、盖帽层（16）、欧姆接触层（17），盖帽层（16）和欧姆接触层（17）组成脊型波导，所述脊型波导表面设置有金属电极（18），其特征为：所述金属电极（18）相对半导体发光器件发光端面倾斜或者弯曲的区域两侧设置有金属层或者多层介质膜层，所述金属层或者多层介质膜层设置于隔离层（15）表面，本发明产品制作工艺简单，能有效地减小发光端面反射率，改进输出光谱的质量与稳定性。
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公开(公告)号：CN103353630A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310320197.2
申请日：2013-07-26
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，首先以SiO2作为掩模，用退火质子交换制作光波导；接着利用SiO2掩模作为标记直接将光波导和电极图形进行自对准套刻；随后采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法去除电极区的SiO2掩模；最后利用溅射以及金属剥离技术制作出电极图形并去除剩余SiO2掩模；采用本发明方法可以在铌酸锂光波导上形成电极图形，保证了光波导与电极套刻准确，电极边缘光滑，缺陷少，成品率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101197407A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710060401.6
申请日：2007-12-28
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种超辐射发光二极管，是由衬底、下包层、下分别限制层、有源区、上分别限制层、上包层、光限制层和欧姆接触层依次构成材料生长部分，在欧姆接触层上通过介质绝缘层形成有P型电极层，在衬底的下面形成有N型电极层，所述的位于下分别限制层和上分别限制层之间的有源区采用体材料结构，且有源区的发光波长范围是0.85μm到1.7μm。本发明结合材料有源区设计和波导结构完成低偏振度设计，具有工艺简单、可靠性高的特点。可应用于0.85μm到1.7μm波段；本发明用脊形波导结构减小串连电阻，提高注入效率，从而提高器件特性；本发明采用倾斜波导，弯曲波导结构后，高增透膜要求可以降低1到2个数量级，有利于实现低纹波系数指标的超辐射发光二极管。
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公开(公告)号：CN112782876A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011615714.5
申请日：2020-12-30
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及光纤通信和传感技术领域，特别是涉及一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法，铌酸锂调制器芯片的制作方法包括：在铌酸锂基片上表面制作一层掩膜；在所述掩膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩膜窗口，并在所述光波导掩膜窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；在所述光波导两侧分别制作金属电极，并对所述铌酸锂基片的光输入面、光输出面以及±Z面进行切割，形成铌酸锂调制器芯片；在铌酸锂调制器芯片的±Z面分别制作导电薄膜，并在铌酸锂调制器芯片的下表面制作导电涂覆层，使±Z面的导电薄膜通过所述导电涂覆层连接导通。本方案可有效降低变温过程中铌酸锂晶体热释电效应对铌酸锂调制器性能的影响，提高铌酸锂调制器的全温性能。
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公开(公告)号：CN103353630B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310320197.2
申请日：2013-07-26
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，首先以SiO2作为掩模，用退火质子交换制作光波导；接着利用SiO2掩模作为标记直接将光波导和电极图形进行自对准套刻；随后采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法去除电极区的SiO2掩模；最后利用溅射以及金属剥离技术制作出电极图形并去除剩余SiO2掩模；采用本发明方法可以在铌酸锂光波导上形成电极图形，保证了光波导与电极套刻准确，电极边缘光滑，缺陷少，成品率高。
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公开(公告)号：CN113031317A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110326033.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法，所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和起偏器，所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底、在所述硅衬底上设置有铌酸锂薄膜脊波导和调制电极，所述起偏器包括铌酸锂衬底，在所述铌酸锂衬底上设置有光波导。在本发明中，通过制作高折射率差的铌酸锂薄膜脊波导，提高了波导对光波的限制能力，可以极大的缩小波导尺寸，进而减小了电极间距和电极长度。脊波导的调制电极分布于波导两侧，调制效率高于质子交换掩埋型波导，提高了调制效率。
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公开(公告)号：CN105158849B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510703267.1
申请日：2015-10-26
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件，本发明方法在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的介质膜；在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口；在掩模窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；制作调制电极；对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面进行切割，在光输入端面和光输出端面分别制作有增透作用的介质膜；采用本发明的方法，能显著提高铌酸锂光波导芯片的偏振消光比，改善芯片的光学特性。
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