公开(公告)号：CN103353630A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310320197.2

申请日：2013-07-26

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 王定理 ,  傅力 ,  李林松 ,  张登巍 ,  吕军

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B6/122 ,  G02F1/035 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，首先以SiO2作为掩模，用退火质子交换制作光波导；接着利用SiO2掩模作为标记直接将光波导和电极图形进行自对准套刻；随后采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法去除电极区的SiO2掩模；最后利用溅射以及金属剥离技术制作出电极图形并去除剩余SiO2掩模；采用本发明方法可以在铌酸锂光波导上形成电极图形，保证了光波导与电极套刻准确，电极边缘光滑，缺陷少，成品率高。

公开(公告)号：CN103353630B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201310320197.2

申请日：2013-07-26

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 王定理 ,  傅力 ,  李林松 ,  张登巍 ,  吕军

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B6/122 ,  G02F1/035 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，首先以SiO2作为掩模，用退火质子交换制作光波导；接着利用SiO2掩模作为标记直接将光波导和电极图形进行自对准套刻；随后采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法去除电极区的SiO2掩模；最后利用溅射以及金属剥离技术制作出电极图形并去除剩余SiO2掩模；采用本发明方法可以在铌酸锂光波导上形成电极图形，保证了光波导与电极套刻准确，电极边缘光滑，缺陷少，成品率高。