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公开(公告)号：CN104848971A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510056317.1
申请日：2015-02-03
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明提供一种隔膜不易产生初期变形的静电电容型压力传感器、压力检测器及输入装置。固定电极基板(32)的上面由电介质膜(33)覆盖。在压缩应力膜(38)的上面或下面的一方形成有凹槽(34)(凹部)。在电介质膜(33)之上层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域成为可弹性变形的隔膜(36)，在隔膜(36)的上面的至少一部分形成有压缩应力膜(38)。
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公开(公告)号：CN104848970A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510055458.1
申请日：2015-02-03
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: G01L1/14
Abstract: 一种静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置，在使用了半导体基板的静电容量型压力传感器中进一步扩大动态范围。通过电介体层(33)覆盖P型或N型的半导体基板(32)的上面。在电介体层的上面形成凹槽(34)。在电介体层的上面层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域为可变形的隔膜(36)，隔膜(36)的外周部分(37)固定于电介体层的上面。在半导体基板的表层部设置有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的固定电极(42)。另外，在半导体基板的表层部，在上基板(35)的被固定的区域(外周部分37)的下方形成有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的反极性层(46)。
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公开(公告)号：CN104848971B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510056317.1
申请日：2015-02-03
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明提供一种隔膜不易产生初期变形的静电电容型压力传感器、压力检测器及输入装置。固定电极基板(32)的上面由电介质膜(33)覆盖。在压缩应力膜(38)的上面或下面的一方形成有凹槽(34)(凹部)。在电介质膜(33)之上层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域成为可弹性变形的隔膜(36)，在隔膜(36)的上面的至少一部分形成有压缩应力膜(38)。
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公开(公告)号：CN1258795C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02150233.1
申请日：2002-11-05
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2001/0084 , H01H2059/0018 , H01H2059/0072
Abstract: 通过抑制静电驱动器的接通电压和断开电压等工作电压特性的变动，防止向静电驱动器施加额定电压时，静电驱动器不接通，或断开驱动电压时，静电驱动器不断开的现象。相对置地设置固定电极30和可动电极38，在固定电极30的表面形成绝缘膜31。绝缘膜31以氮化膜(SiN)37为主要材料构成，在氮化膜37的正反两面形成氧化膜(SiO2)39、48。在绝缘膜31的上表面与可动电极38对置的区域设置有多个突起32。绝缘膜31的带电量主要由氧化膜48的膜厚决定，使用氮化膜47是为确保耐压特性等所需的必要膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1863436A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610064816.6
申请日：2006-03-14
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: H05K7/06 , B81B2207/097 , B81C1/00301 , B81C1/00571 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , H01L2924/16235 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49156
Abstract: 配线基板的制造方法、光掩模、配线基板、电路元件、通信装置和计量装置。实现一种能够可靠地将至少包括配线的一部分的表面区域的上方空间密闭的配线基板的制造方法。该方法具有：在玻璃基板(11a)上形成配线用的金属薄膜的第1步骤；使用形成有配线用图形的光掩模(20)，在金属薄膜上生成抗蚀剂图形的第2步骤；把抗蚀剂图形作为掩模，通过湿法刻蚀选择性地去除金属薄膜，形成配线的第3步骤。当把通过烧结玻璃(13)接合的配线的部位作为接合部位时，光掩模(20)的配线用图形的侧边(La/Lb/Lc/Ld)在与接合部位对应的区域弯曲。
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公开(公告)号：CN1417826A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02150233.1
申请日：2002-11-05
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2001/0084 , H01H2059/0018 , H01H2059/0072
Abstract: 通过抑制静电驱动器的接通电压和断开电压等工作电压特性的变动，防止向静电驱动器施加额定电压时，静电驱动器不接通，或断开驱动电压时，静电驱动器不断开的现象。相对置地设置固定电极30和可动电极38，在固定电极30的表面形成绝缘膜31。绝缘膜31以氮化膜(SiN)37为主要材料构成，在氮化膜37的正反两面形成氧化膜(SiO2)39、48。在绝缘膜31的上表面与可动电极38对置的区域设置有多个突起32。绝缘膜31的带电量主要由氧化膜48的膜厚决定，使用氮化膜47是为确保耐压特性等所需的必要膜厚。
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公开(公告)号：CN1863436B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610064816.6
申请日：2006-03-14
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: H05K7/06 , B81B2207/097 , B81C1/00301 , B81C1/00571 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , H01L2924/16235 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49156
Abstract: 配线基板的制造方法、光掩模、配线基板、电路元件、通信装置和计量装置。实现一种能够可靠地将至少包括配线的一部分的表面区域的上方空间密闭的配线基板的制造方法。该方法具有：在玻璃基板(11a)上形成配线用的金属薄膜的第1步骤；使用形成有配线用图形的光掩模(20)，在金属薄膜上生成抗蚀剂图形的第2步骤；把抗蚀剂图形作为掩模，通过湿法刻蚀选择性地去除金属薄膜，形成配线的第3步骤。当把通过烧结玻璃(13)接合的配线的部位作为接合部位时，光掩模(20)的配线用图形的侧边(La/Lb/Lc/Ld)在与接合部位对应的区域弯曲。
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公开(公告)号：CN100459010C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610057057.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 静电微开关及其制造方法、以及具有静电微开关的装置。本发明的课题是提供可以维持高频特性、同时防止驱动电压上升或动作速度下降的静电微开关。作为解决手段，本发明的静电微开关通过设置在固定基板(10)上的固定电极(12)和弹性支撑在固定基板(10)上的可动基板(20)中的可动电极(23)之间的静电引力，使可动基板(20)变位，由此进行设置在固定基板(10)上的信号线(14)和设置在可动基板(20)上的可动触点(28)之间的通断。可动基板(20)由包含多种电阻率的半导体构成，在可动电极(23)中，与固定电极(12)相对的部分为低电阻率。此外，在可动基板(20)中与信号线(14)相对的部分为高电阻率。
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公开(公告)号：CN1848343A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610057057.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 静电微开关及其制造方法、以及具有静电微开关的装置。本发明的课题是提供可以维持高频特性、同时防止驱动电压上升或动作速度下降的静电微开关。作为解决手段，本发明的静电微开关通过设置在固定基板(10)上的固定电极(12)和弹性支撑在固定基板(10)上的可动基板(20)中的可动电极(23)之间的静电引力，使可动基板(20)变位，由此进行设置在固定基板(10)上的信号线(14)和设置在可动基板(20)上的可动触点(28)之间的通断。可动基板(20)由包含多种电阻率的半导体构成，在可动电极(23)中，与固定电极(12)相对的部分为低电阻率。此外，在可动基板(20)中与信号线(14)相对的部分为高电阻率。
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