将数据更新到非易失性存储器系统和操作该系统的方法

    公开(公告)号:CN1902599B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200480039298.1

    申请日:2004-12-15

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7202

    Abstract: 本发明揭示一种非易失性存储器系统,其为一类具有多个一起擦除并且可从每区块大量页面的单位中的一擦除状态编程的存储器单元区块的非易失性存储器系统。如果将要更新一区块的仅几个页面的数据,则将所述更新页面写入另一为此目的而提供的区块中。以一不必对应其原始地址偏移的顺序将来自多个区块的更新页面编程至所述另一区块中。接着在一后来时间组合有效的原始和更新数据,当如此进行组合时不会影响所述存储器的性能。然而,如果要更新一区块的大量页面的数据,则将所述更新页面写入一未用擦除区块中,并且还将未改变页面写入所述相同未用区块中。通过不同地处理几个页面的更新,在进行较小更新时会改进存储器性能。存储器控制器可响应所述存储器系统的主机的使用率动态地建立并操作这些其它区块。

    非易失性存储系统中的自动磨损平衡

    公开(公告)号:CN1720590A

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:CN200380104715.1

    申请日:2003-10-09

    Abstract: 本发明揭示数种在一非易失性存储系统中执行磨损平衡的方法和装置。本发明包括一种在一存储系统中执行磨损平衡的方法,所述存储系统包括一具有一包含内容的第一存储元件的第一区和一第二区,所述方法包括:识别所述第一存储元件;并将所述第一存储元件的内容与所述第二区相关联;同时使所述第一存储元件的所述内容与所述第一区不相关联。在一个实施例中,将所述第一存储元件的内容与所述第二存储元件相关联包括:将一第二存储元件的内容移动到一第三存储元件中,然后将所述第一存储元件的所述内容复制到所述第二存储元件中。

    快闪存储器数据校正及擦除技术

    公开(公告)号:CN100541439C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200480033197.3

    申请日:2004-09-28

    CPC classification number: G06F11/106 G06F11/1068 G11C8/08

    Abstract: 为维护快闪存储器中所存储的易受到存储器内邻近区域中操作干扰的数据的完整性,在数据恶化至无法恢复有效数据之前,由干扰事件促成对数据的读取、校正及重写。当存储器系统具有其它高优先权操作要执行时,通过延期执行某些校正措施操作来平衡维护数据完整性与维护系统性能之间有时相互矛盾的需要。在一利用极大擦除单元的存储器系统中,所述校正过程是以一种按照有效重写数据量远少于一擦除单元容量的方式来执行。

    存储器系统中的数据再定位

    公开(公告)号:CN101120414A

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200580048233.8

    申请日:2005-12-15

    CPC classification number: G11C16/10 G11C16/26

    Abstract: 本发明延伸芯片上复制过程,以使得可在可能位于不同芯片上、同一芯片上的不同平面上,或同一芯片的同一平面上的两个区块之间复制数据。更具体来说,本文描述的方法提供一种允许在存储器系统中的任何两个位置之间复制数据的单一数据复制机制。示范性实施例使用EDO型时序。根据另一方面,经再定位的数据的选定部分,例如被传输页中的所选择字,可在运行中在控制器中被更新。除了将数据集从源阵列的读取缓冲器直接传输到目的地阵列的写入缓冲器外,必要时,还可同时将所述数据集复制到所述控制器中,在所述控制器中可对所述数据集执行误差检测和校正操作。

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