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公开(公告)号:CN116091389A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202210816429.2
申请日:2022-07-12
IPC: G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/42 , G06V10/82 , G06V10/762 , G06T5/00 , G06T5/50 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于分类模型的图像检测方法、电子设备及介质,包括:获取待测电机磁瓦的样本图集,根据样本图集对分类模型进行训练;将获取到的目标灰度图输入训练后的分类模型进行类别检测,得到目标灰度图的类别标签;对分类模型的训练包括:将样本图集输入分类模型,对样本图集中的样本灰度图进行图层划分,得到样本灰度图的张量信息;对张量信息进行特征提取,得到样本灰度图的特征信息;根据预设伽马校正值以及预设分层伽马校正算法对张量信息进行校正,得到校正结果;根据校正结果以及样本标签训练分类模型。本发明实施例中,能够通过分类模型对电机磁瓦的图片进行光源校正,提升模型的分类性与鲁棒性。
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公开(公告)号:CN115938419A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202211647724.6
申请日:2022-12-21
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种基于磁隧道结的触发电路及电子设备,包括:主触发模块,用于发送触发信号;读逻辑模块,与主触发模块连接,读逻辑模块包括两条逻辑支路,每条逻辑支路包括一个磁隧道结以及反相放大单元,磁隧道结与反相放大单元连接,读逻辑模块用于根据磁隧道结的放电状态控制反相放大单元的工作状态,以输出与逻辑支路对应的支路电压;写入模块,与读逻辑模块连接,写入模块用于接收所述支路电压,并将支路电压写入与所述逻辑支路对应的磁隧道结进行存储。本发明实施例中,能够通过读逻辑模块实现读写电路分离,降低读电路错误率,并实现非易失性数据的存储。
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公开(公告)号:CN114999546A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202210589717.9
申请日:2022-05-27
Abstract: 本发明公开了一种基于磁隧道结的自动控制电路及电子设备,包括:核心写入模块,包括两条写入支路,每条写入支路包括一个磁隧道结;写入检测模块,用于接收经过延时处理的延时信号,并在根据延时信号检测到目标支路中的所述磁隧道结处于写入完成状态的情况下,生成目标检测信号;使能控制模块,用于接收由外部发送的写入使能信号、写入信号以及由写入检测模块发送的目标检测信号,并根据写入使能信号、写入信号以及目标检测信号生成用于控制目标支路关闭写入状态的目标控制信号,使得核心写入模块根据所述目标控制信号关闭目标支路写入。本发明实施例中,通过对核心写入模块进行检测,能够解决磁隧道结功耗浪费的问题,实现对磁隧道结器件的保护。
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公开(公告)号:CN114690325A
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202210461338.1
申请日:2022-04-28
Abstract: 本发明公开一种面向光片上网络的光子晶体可调谐多通道滤波器,通过在二维三角晶格光子晶体上设置1个输入波导、1个反射结构、4个谐振腔、4个点缺陷和4个输出波导来实现。本发明滤波器相比其他的八通道光子晶体滤波器的谐振腔个数减少了一半,而且六边形谐振腔由相变材料GST构成,可以通过外界条件激发实现可调谐功能,具有结构简单、尺寸小,易于实现和集成的突出特点,且灵活性高、下路输出波长多样,在未来的光集成系统中具有重要应用。
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公开(公告)号:CN114397038A
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202111660625.7
申请日:2021-12-30
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明提供了一种片上温度传感器、温度检测方法及片上系统,其中,片上温度传感器包括:波导结构;波导结构包括输入波导、输出波导、级联微环谐振器以及级联输出波导;级联微环谐振器,包括第一微环和第二微环,第一微环靠近于输入波导的输入端,第二微环靠近于输出波导的输出端,第一微环、第二微环排列设置于级联输出波导一侧,第一微环的温度灵敏度与第二微环的温度灵敏度不相同。本发明实施例中,通过优化波导结构设计,能够在降低波导结构尺寸以节省芯片设计成本的同时提升传感器灵敏度,符合当前集成电路设计的发展方向。
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公开(公告)号:CN115064192A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202210771643.0
申请日:2022-06-30
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开一种基于磁隧道结的读逻辑电路,由磁隧道结器件MTJ1~MTJ2、反相放大器I1~I2、PMOS晶体管PM0~PM5、以及NMOS晶体管NM0~NM4组成。该读逻辑电路包括预充电阶段和放电阶段两个阶段:当控制信号clk为低电平时,读逻辑电路进入预充电阶段;当控制信号clk为高电平时,逻辑读电路进入放电阶段。本发明将预充电电路和放电支路分离开来,有效地降低了读错误率;在预充电阶段,预充电电压的相关节点电压变小,有效的降低了电路的相关功耗。
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公开(公告)号:CN114967275A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210799616.4
申请日:2022-07-06
Abstract: 本发明公开一种用于光片上网络的光子晶体三通道全光开关,由正方晶格圆形介质柱结构的二维光子晶体构成;该二维光子晶体上设有3个光子晶体波导、3个光子晶体谐振腔、3个输入波导和3个输出波导。本发明仅在正方晶格圆形介质柱结构的二维光子晶体的基础上上进行介质柱的删减和介质柱尺寸的设计,并未进行介质柱的增加,且大部分介质柱的结构参数都相同,在实际制作时比较方便;采用硫系玻璃Ge20Sn10Se70和半导体材料Si制成,利用具有较高三阶非线性折射率系数的Ge20Sn10Se70硫系玻璃,实现了工作波长通信波段的光子晶体光开关。本发明具有结构简单、尺寸小和消光比高、品质因数大的特点。
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公开(公告)号:CN114565012A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202210058175.2
申请日:2022-01-19
IPC: G06K9/62 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/762 , G06V10/82
Abstract: 本发明涉及电机故障检测技术领域,尤其涉及一种基于机器视觉的电机磁瓦表面缺陷检测方法,通过配合高斯随机光照生成器对输入张量进行随机光照叠加,以生成光照不平衡图像参与模型训练,以达到提升电机磁瓦缺陷分类模型的整体性能的目的,同时采用了等像素亮度区间划分算法,通过对图像动态计算各亮度区间的像素,进行等量分割,然后通过K最近邻算法对游离点进行聚类,完成图层划分,最后并通过BP神经网络对各图层亮度进行校正,最后通过训练好的分类模型对待检测电机磁瓦表面灰度图进行检测分类,解决了现有的深度卷积神经网络对光照不平衡图像鲁棒性低、泛化性较弱的技术问题。
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公开(公告)号:CN115588191A
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN202211121058.2
申请日:2022-09-15
IPC: G06V20/69 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06V10/764 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种基于图像声流控细胞分选模型的细胞分选方法、系统及计算机可读存储介质,图像声流控细胞分选模型包括细胞图像识别模块和细胞弹射模块,细胞分选方法包括:获取原始细胞图像集和预确定的样本细胞图像集;将样本细胞图像集输入细胞图像识别模块进行特征提取,得到细胞图像的图像种类信息;将图像种类信息以及样本图像集输入图像声流控细胞分选模型进行训练;将原始细胞图像输入训练好的图像声流控细胞分选模型进行图像预测,确定与图像类别对应的目标图像;基于细胞弹射模块将与目标图像对应的细胞弹射至预设收集区。在本发明实施例中能够采用无标记的方法进行细胞的自动分类,从而实现目标细胞的纯化收集。
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公开(公告)号:CN114842100A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202210377201.8
申请日:2022-04-12
Abstract: 本发明实施例提供了一种太赫兹图像重建的模型训练方法、太赫兹图像重建方法、装置、系统及计算机可读存储介质,太赫兹光谱仪采集到的初始太赫兹图像和与初始太赫兹图像不同类别的高分辨率图像经过将分辨率处理后得到的低分辨率图像共同输入到卷积网络模型中,通过卷积网络模型对低分辨率图像进行特征信息的提取。通过在卷积网络模型的最后一层设置残差融合层,使得卷积网络模型对低分辨率图像进行特征信息的提取更加全面,减少梯度下降对图像分辨率重建的影响,从而使卷积网络模型对太赫兹图像重建出更高的分辨率。
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