公开(公告)号：CN117848993A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311806241.0

申请日：2023-12-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张活 ,  赵大俊 ,  许川佩 ,  殷贤华 ,  陈涛 ,  王月娥 ,  刘成锋

IPC: G01N21/3586

Abstract: 本发明涉及太赫兹频段的传感技术，具体涉及一种高Q值高灵敏度的太赫兹超材料传感器。太赫兹波在光谱学和无损检测中具有广泛的用，然而，传统的太赫兹超材料传感器存在灵敏度不足，Q值过低等问题。为此，本发明提出一种高Q值高灵敏度的太赫兹超材料传感器。本传感器由4层结构组成。基底、具有一定数值的电导率的反射层、第三层为具有一定数值的相对介电常数的介质层和一个或多个金属谐振器，形成金属谐振器‑介质层‑反射层‑基底的结构，可形成吸收率高、灵敏度高和Q值高的吸收型传感器。从而解决太赫兹超材料传感器中灵敏度不足和Q值过低的问题。

公开(公告)号：CN119518300A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411646064.9

申请日：2024-11-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张活 ,  赵大俊 ,  王月娥 ,  许川佩 ,  殷贤华 ,  陈涛

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q15/24

Abstract: 本发明公开了一种实现EIT‑like和宽带吸收双功能转换的太赫兹超材料器件，属于太赫兹应用技术领域。本发明所述器件由三层结构组成，由上到下依次为顶层的谐振器层1、中间的介质层2和最下方的衬底层3，以上三层结构紧密结合构成一个结构周期，一个结构周期P为80μm。所述的顶层谐振器层由3个谐振子结合而成，分别为十字结构谐振子S1、四个条状短臂谐振子S2和四个T型谐振子S3构成。该器件利用二氧化钒的相变特性，实现了EIT‑like和宽带吸收之间的动态转换，当二氧化钒表现为绝缘态时，该器件可实现EIT‑like效应；当二氧化钒表现为金属态时，该器件可实现宽带吸收功能。本发明所述器件将EIT‑like和宽带吸收功能集成到了一个器件中，有利于设备的集成化，可应用于宽带吸波器、慢光器件、光开关器件和调制器等光学设备。

公开(公告)号：CN119419500A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411645375.3

申请日：2024-11-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张活 ,  赵大俊 ,  王月娥 ,  许川佩 ,  殷贤华 ,  陈涛

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明公开了一种明暗模耦合实现EIT‑like现象的太赫兹超材料器件，属于太赫兹应用技术领域。本发明所述太赫兹超材料器件其组成包括衬底层和衬底层上周期性排布的图案化谐振器层。所述的图案化谐振器层由一个十字结构的明模谐振器和四个条状短臂结构的暗模谐振器结合而成，通过明暗模之间的近场耦合使得电磁场产生相消干涉而实现EIT‑like现象，在1.588THz处产生了透射率为86.5％的透明窗口。一个图案化谐振器层和衬底层构成一个结构周期，一个结构周期P为25μm，所述太赫兹超材料器件是由多个结构周期拼接形成的阵列。本发明可作为四频异步光开关器件、传感器、调制器和慢光器件等光学器件使用。

公开(公告)号：CN118839614A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410991047.2

申请日：2024-07-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张活 ,  周世龙 ,  赵大俊

IPC: G06F30/27 ,  G16C60/00 ,  G06N3/126 ,  G06F111/06

Abstract: 本发明公开一种基于NASH均衡博弈理论的太赫兹超材料多目标优化方法，将NASH均衡博弈理论与单目标优化算法相结合来对太赫兹超材料传感结构参数进行优化，能够实现多性能参数(如Q因子、折射率灵敏度和谐振强度)之间的均衡，提升传感器综合性能；而且能够减少设计人员操作的复杂性，降低繁琐的人为调参与计算。