基于对称结构谐振器高Q值的太赫兹超材料传感器

    公开(公告)号:CN117791163A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311806237.4

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料领域,提供了一种具有对称结构高Q值的太赫兹超材料传感器,具体可通过一个或数个对称结构金属谐振器、具有适合数值的相对介电常数的介质层、反射层和基底共同构成完整的太赫兹超材料传感器。本发明的具体金属谐振器结构为中央矩形结构上下两边中心具有相同大小开口,左右两边连接T型金属臂的对称结构,并将该对称结构金属谐振器附着在具有适合的相对介电常数的介质层上,共同构成了一个典型的反射型超材料传感器。该发明形成的太赫兹超材料传感器是一款性能良好,具有高Q值,结构简单的金属谐振器‑介质层‑反射层‑基底型传感器,从而可以有效地解决目前普遍存在的太赫兹超材料传感器结构复杂,检测性能不佳的问题。

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