公开(公告)号：CN114231769A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111631359.5

申请日：2021-12-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王凤 ,  梁丽娜 ,  杨永健 ,  翟思霖 ,  王江 ,  王仲明 ,  邓建秋 ,  周怀营

IPC: C22C1/02 ,  C22C16/00 ,  C22C30/00 ,  C01B3/00

Abstract: 本发明公开了一种改善ZrCo合金动力学和脱氢性能的储氢材料及其制备方法，储氢材料的通式为Zr0.8Ti0.2CrxCo1‑x，其中0＜x≤0.15，经测试，制得的储氢材料以ZrCo为主相，第二、三相为laves相，在200℃时，所有样品的储氢量均高于1.5 wt.%，吸氢饱和所需时间从2500s缩短到1000s左右。其制备方法包括以下步骤：以高纯Zr、V、Co元素为原料，按0.8：0.2：x：1‑x的原子百分比称取材料，采用非自耗钨电极对原料进行熔炼，在熔炼过程中多次翻转样品确保合金成分均匀。本发明克服了ZrCo合金活化困难的缺点，其制备工艺简单，合金有优异的活化性能和脱氢性能，对促进ZrCo合金在储氢领域的应用和扩展有积极影响。

公开(公告)号：CN112289591B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202011149172.7

申请日：2020-10-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭洪亮 ,  胡芳 ,  杨永健 ,  杨松涛 ,  么蕾 ,  徐芬 ,  孙立贤

IPC: H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32 ,  H01G11/44 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明提供一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺。该材料是以酒糟多孔碳作为基底，钴、镍元素以Co‑Ni‑LDH形式负载在酒糟多孔碳的表面得到的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料。其工艺是：首先将酒糟碳化得酒糟多孔碳，再与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮进行水热反应，最后经过抽滤、洗涤，干燥，即可得产品。制备的复合材料稳定性好、复合程度高，兼具较高的比容量、倍率性能，同时基底碳材料来源为酒糟，原料来源广泛且价格便宜，使酒糟“变废为宝”。

公开(公告)号：CN112289591A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011149172.7

申请日：2020-10-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭洪亮 ,  胡芳 ,  杨永健 ,  杨松涛 ,  么蕾 ,  徐芬 ,  孙立贤

IPC: H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32 ,  H01G11/44 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明提供一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺。该材料是以酒糟多孔碳作为基底，钴、镍元素以Co‑Ni‑LDH形式负载在酒糟多孔碳的表面得到的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料。其工艺是：首先将酒糟碳化得酒糟多孔碳，再与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮进行水热反应，最后经过抽滤、洗涤，干燥，即可得产品。制备的复合材料稳定性好、复合程度高，兼具较高的比容量、倍率性能，同时基底碳材料来源为酒糟，原料来源广泛且价格便宜，使酒糟“变废为宝”。

公开(公告)号：CN112938967A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110493370.3

申请日：2021-05-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭洪亮 ,  胡芳 ,  么蕾 ,  杨永健 ,  杨松涛 ,  徐芬 ,  孙立贤

IPC: C01B32/318 ,  C01B32/348 ,  H01G11/34 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种腐乳基多孔碳材料，以腐乳为原料，经预碳化，保留腐乳发酵形成的多孔结构，形成碳前驱体；再将碳前驱体进行碱处理活化和煅烧，即可得到腐乳基多孔碳材料，其微观形貌呈3D蚁巢状，其比表面积范围在3000‑4000 m2 g‑1；所述腐乳的发酵方法为低常温自然发酵。其制备方法包括以下步骤：1）碳前驱体的制备；2）腐乳基多孔碳材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，当电流密度≥0.5A g‑1时，比电容值范围在420‑600 F g‑1。本发明具有以下优点：以腐乳为原料，利用陈化发酵产生的气体和微生物的作用，获得具有特殊的微观结构，并且无需另外进行掺杂；具有高比表面积，孔隙丰富，孔径均一。