-
公开(公告)号：CN101659545A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910114388.7
申请日：2009-09-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/04
Abstract: 本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO 3 为基础相的陶瓷材料及其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为(Ba 1-x A x )(Sb y Bi 1-y )O 3 ，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO 3 为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。
-
公开(公告)号：CN101826377B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010137147.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及负温度系数热敏电阻材料技术领域，具体涉及以铋酸钡基材料为功能相的厚膜热敏电阻浆料、其制备方法以及用该厚膜热敏电阻浆料制备的厚膜热敏电阻。所述电阻浆料由功能相和有机载体溶剂组成，功能相和有机载体溶剂的重量比为60～80∶20～40，其中功能相是化学通式为(Ba1-xAx)BiO3的化合物，式中0≤x＜0.01，A为稀土金属元素，选自Y、La、Nd、Sm、Dy和Er元素中的一种。其制备方法为：1)制备功能相；2)制备有机载体；3)制备浆料。与现有技术相比，本发明所述厚膜热敏电阻浆料具有不需加入粘结剂，可实现低温烧结厚膜电阻，电阻性能优异，制备工艺简单的优点。
-
公开(公告)号：CN109095895B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201811068020.7
申请日：2018-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , H01C7/04 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种适用于高温测温的负温度系数热敏材料及其制备方法。所述负温度系数热敏材料的化学通式为Ba(Co0.5Nb0.5)1‑x FexO3，其中，0＜x＜0.40。该负温度系数热敏材料的制备方法为：根据化学通式Ba(Co0.5Nb0.5)1‑x FexO3，0＜x＜0.40进行配料，将各原料化合物混合均匀，所得混合物料经焙烧、成型、烧结，即得到所述的适用于高温测温的负温度系数热敏材料。本发明所述负温度系数热敏材料的室温电阻率在3‑6000KΩ·cm范围内可调节，其工作温度区间不低于500℃(工作温度区间为室温至500℃)。
-
公开(公告)号：CN109095895A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811068020.7
申请日：2018-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , H01C7/04 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种适用于高温测温的负温度系数热敏材料及其制备方法。所述负温度系数热敏材料的化学通式为Ba(Co0.5Nb0.5)1-x FexO3，其中，0＜x＜0.40。该负温度系数热敏材料的制备方法为：根据化学通式Ba(Co0.5Nb0.5)1- xFexO3，0＜x＜0.40进行配料，将各原料化合物混合均匀，所得混合物料经焙烧、成型、烧结，即得到所述的适用于高温测温的负温度系数热敏材料。本发明所述负温度系数热敏材料的室温电阻率在3-6000KΩ·cm范围内可调节，其工作温度区间不低于500℃(工作温度区间为室温至500℃)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103632780B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310654586.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种片式热敏电阻及其阻值调节方法。所述的片式热敏电阻，包括设置在片式热敏陶瓷表面上的一对电极对，以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案；其中，电极对包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括均具有重复凹凸结构特征的第一分支和第二分支，所述第二电极包括具有重叠“工”字形结构特征的工字形分支，所述工字形分支的横端的两端分别穿插于第一电极上第一分支的凹部中和第二分支的凹部中；所述的金属性图案具有至少一个粗调焊接端和至少一个微调焊接端，粗调焊接端设置于金属性图案上与第一电极的第一分支和/或第二分支的凸部对应的区域中。本发明所述片式热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。
-
公开(公告)号：CN103646739A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310651609.0
申请日：2013-12-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C17/245 , H01C7/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜热敏电阻及其阻值调节方法。所述的薄膜热敏电阻包括绝缘衬底，设置在绝缘衬底上的一对电极对，以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案。本发明通过设计特殊结构的电极对，同时在用于调节阻值的金属性图案上同时设计有用于微调阻值的微调切割部和用于粗调阻值的粗调切割部，并将所述的粗调切割部分别穿插于电极对中的第一电极的凸部结构中，使得在将所述的粗调切割部切削后可以起到较大范围的调整阻值的作用；而微调切割部则可以起到微调阻值的作用，因此，本发明所述薄膜热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。
-
公开(公告)号：CN103632780A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310654586.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种片式热敏电阻及其阻值调节方法。所述的片式热敏电阻，包括设置在片式热敏陶瓷表面上的一对电极对，以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案；其中，电极对包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括均具有重复凹凸结构特征的第一分支和第二分支，所述第二电极包括具有重叠“工”字形结构特征的工字形分支，所述工字形分支的横端的两端分别穿插于第一电极上第一分支的凹部中和第二分支的凹部中；所述的金属性图案具有至少一个粗调焊接端和至少一个微调焊接端，粗调焊接端设置于金属性图案上与第一电极的第一分支和/或第二分支的凸部对应的区域中。本发明所述片式热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。
-
公开(公告)号：CN101659545B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910114388.7
申请日：2009-09-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/04
Abstract: 本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO3为基础相的陶瓷材料及其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为(Ba1-xAx)(SbyBi1-y)O3，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO3为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。
-
公开(公告)号：CN101826377A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010137147.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及负温度系数热敏电阻材料技术领域，具体涉及以铋酸钡基材料为功能相的厚膜热敏电阻浆料、其制备方法以及用该厚膜热敏电阻浆料制备的厚膜热敏电阻。所述电阻浆料由功能相和有机载体溶剂组成，功能相和有机载体溶剂的重量比为60～80∶20～40，其中功能相是化学通式为(Ba1-xAx)BiO3的化合物，式中0≤x＜0.01，A为稀土金属元素，选自Y、La、Nd、Sm、Dy和Er元素中的一种。其制备方法为：1)制备功能相；2)制备有机载体；3)制备浆料。与现有技术相比，本发明所述厚膜热敏电阻浆料具有不需加入粘结剂，可实现低温烧结厚膜电阻，电阻性能优异，制备工艺简单的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.02 seconds)
