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公开(公告)号：CN119939952A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510240823.X
申请日：2025-03-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种面向多模干涉光子器件快速逆向设计的电磁仿真方法，属于光子器件逆向设计领域，多模干涉光子器件包括绝缘体上硅和相变层，相变层离散为由像素单元组成的像素阵列，每个像素单元由有晶态和非晶态两种状态，通过设计这些像素的分布调控器件的折射率分布，显著影响多模波导中的模式发生干涉。模式之间的干涉可以通过传输矩阵来描述，由此，将所有的像素分布通过传输矩阵来表达，逆向设计器件的电磁仿真计算过程就可以利用传输矩阵进行快速计算，而不必使用传统的电磁仿真软件进行漫长的模拟仿真，显著提升了设计效率，这将加速光子学领域的基础研究进程，为光子技术在通信、计算、传感等多个领域的深入发展奠定坚实的基础。
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