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公开(公告)号:CN207764126U
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201820153247.0
申请日:2018-01-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本实用新型公开一种基于反射双共振谷光纤表面等离子共振传感器,包括位于光纤端面的金属膜,金属膜上均匀排列满工字型纳米狭缝结构,其中工字型纳米狭缝结构由三条相互连通的矩形狭缝构成。本实用新型的传感器具有两个共振波长,相互修正结果的两个共振波长可以使得测量结果更加精确。并且这两个共振波长的大小可以通过调节传感器的结构参数来调整,从而来适应不同的实用范围。实现了一种检测精度高、适用范围广、易于加工的光纤表面等离子体共振传感器。