公开(公告)号：CN116864999A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310818639.X

申请日：2023-07-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 牛军浩 ,  姚芊妤 ,  崔丽丽 ,  莫玮 ,  李春辉 ,  陈涛 ,  许川佩

IPC: H01Q17/00 ,  H01Q15/00 ,  H01Q15/24

Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料器件技术领域，尤其涉及一种宽带吸收与极化转换可切换的环‑扇结构太赫兹器件，包括多个结构单元，每个结构单元由相变环形层、吸收介质层、金属扇形层、相变薄膜层、极化介质层和金属底层从上至下依次堆叠构成，其中相变环形层和相变薄膜层的材料为二氧化钒，通过温度改变二氧化钒电导率，在二氧化钒绝缘态时起宽带交叉极化转换作用，在二氧化钒金属态时起宽带吸收作用且具有极化不敏感和广角吸收优势。本发明可以实现同一器件的不同功能切换，同时在宽带吸收时具有极化不敏感和广角吸收的特点，解决了现有太赫兹器件一旦制成其性质就被固定且不可调谐的缺陷。

公开(公告)号：CN116207513A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211695377.4

申请日：2022-12-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 牛军浩 ,  姚芊妤 ,  莫玮 ,  李春辉 ,  陈涛 ,  许川佩

IPC: H01Q17/00 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明涉及太赫兹吸波器技术领域，具体涉及一种宽带和四频带可切换的双功能太赫兹吸波器，通过将相变贴片层、宽带吸收介质层、相变底层、金属贴片层、多频吸收介质层和金属底层从上至下堆叠构成太赫兹吸波单元，再将多个太赫兹吸波单元周期排布形成太赫兹吸波器，在使用过程中只需通过温度改变其相变材料二氧化钒的电导率，就能实现吸收特性的切换和吸收率的灵活改变，解决了传统太赫兹吸波器一旦制成其吸收特性就被固定的技术问题。