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公开(公告)号：CN217767216U
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202122453392.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本实用新型涉及到磁场发生器领域，特别是一种多路磁场发生器技术领域；包括一种多路程控磁场发生器，其特征是：它由STM32F407VET6单片机最小系统、ESP8266串口WIFI模块、TFT液晶彩屏、大功率MOS管H桥驱动电路（由隔离芯片、NMOS管IRLR7843、采样电阻、半桥驱动芯片IR2104组成）、电流采集电路、ADC稳压及上位机组成，该磁场发生器具有结构简单、便于操作、生产成本低的优点。
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