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公开(公告)号:CN105906806A
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201610422492.2
申请日:2016-06-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C08G73/02
CPC classification number: C08G73/0266
Abstract: 本发明公开了一种以麦芽糖为模板制备导电聚苯胺纳米管的方法。称取麦芽糖加入到盛有30 mL去离子水的烧瓶中,室温搅拌0.5 h后,将烧瓶转置于冰水浴中,然后向烧瓶加入1 mL苯胺和10 mL 1mol/L的盐酸溶液,在冰水浴的条件下搅拌1h,制得混合溶液,再向混合溶液中逐滴加入过硫酸铵溶液,在冰水浴的条件下搅拌12 h,随后用去离子水对反应物进行洗涤、抽滤,直至滤液呈中性,所得滤饼在50℃的真空干燥箱中干燥24 h,研磨收集,即制得导电聚苯胺纳米管。本发明方法制备过程简单、环保、可靠,原料来源广泛、成本低廉,适合工业化生产,且所制得的导电聚苯胺纳米管具有规整结构、低电阻和高比电容。
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公开(公告)号:CN105860069A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610429041.1
申请日:2016-06-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C08G73/06
CPC classification number: C08G73/0611
Abstract: 本发明公开了一种以麦芽糖为模板制备导电聚吡咯的方法。称取麦芽糖加入到盛有30 mL去离子水中,室温搅拌0.5 h后,转置于冰水浴中,再加入0.5 mL吡咯,在冰水浴中搅拌0.5 h,制得混合溶液,再向混合溶液中逐滴加入过硫酸铵溶液,在冰水浴中连续搅拌12 h,随后用2 mL 1mol/L的盐酸溶液进行掺杂,最后用去离子水对所得产物进行洗涤、抽滤,直至滤液呈中性,所得滤饼在50 ℃的真空干燥箱中干燥24 h,研磨收集,即制得导电聚吡咯。本发明方法制备过程简单、环保、可靠,原料来源广泛、成本低廉,适合工业化生产,且所得导电聚吡咯具有电阻较低、比电容高和能量密度高等电化学性能。
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公开(公告)号:CN106449181A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201611068284.3
申请日:2016-11-29
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/86 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/46 , H01G11/48
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯/石墨烯/二氧化锡复合材料的制备方法。以水热法制备聚吡咯/氧化石墨烯复合物胶体,即利用聚吡咯链段上带正电的氮和氧化石墨烯表面的环氧键之间的静电张力在聚吡咯表面吸附大量的氧化石墨烯,有效阻止氧化石墨烯的团聚,然后用SnCl2溶液将胶体中的氧化石墨烯还原为石墨烯,同时采用水热法在含有少量含氧键的石墨烯表面吸附生成Sn(Ⅳ),再加入氢氧化钠溶液在180℃下反应制备出三维多孔网状聚吡咯/石墨烯/二氧化锡复合材料。本发明方法制备过程简单、绿色环保、可靠,且所得复合材料具有规整的空间结构、良好的分散性、高能量密度和功率密度、优秀的循环性能,是一种理想的超级电容器电极材料,适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN108010752A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711159747.1
申请日:2017-11-20
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/锰氧化物复合材料的制备方法。以氧化石墨烯三维结构为骨架,利用吡咯链段上带正电的氮和氧化石墨烯表面上的环氧键之间的静电张力在氧化石墨烯表面生长聚吡咯纳米线阵列,加入高锰酸钾溶液和过量的硫酸锰溶液到聚吡咯纳米线/氧化石墨烯混合液中,生成的二氧化锰沉积在氧化石墨烯片上面;同时,过量的带正电的Mn(Ⅱ)离子进入到负电性的氧化石墨烯片层间,并与氧化石墨烯发生氧化还原反应而生成Mn(Ⅲ)离子,同时将氧化石墨烯还原为石墨烯,然后通过水热法生成的纳米四氧化三锰颗粒沉积在还原后的石墨烯层之间,最终制备出聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/锰氧化物复合材料。
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公开(公告)号:CN108010730A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711159749.0
申请日:2017-11-20
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/46 , H01G11/48
Abstract: 本发明公开了一种聚苯胺纳米线阵列/石墨烯片/二氧化锡复合材料的制备方法。以氧化石墨烯三维结构为骨架,利用苯胺链段上带正电的氮和氧化石墨烯表面上的环氧键之间的静电张力在氧化石墨烯表面生长聚苯胺纳米线阵列;带正电的Sn(Ⅱ)离子进入到负电性的氧化石墨烯片层间,并与氧化石墨烯发生氧化还原反应而生成Sn(Ⅳ)离子,同时将氧化石墨烯还原为石墨烯,然后加入氢氧化钠溶液并在180℃下反应生成纳米二氧化锡颗粒沉积在还原后的石墨烯层之间,制得聚苯胺纳米线阵列/石墨烯片/二氧化锡复合材料。本发明方法简单、可靠、绿色环保,制得的复合材料具有规整的空间结构,高能量密度和功率密度,以及优秀的循环性能。
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公开(公告)号:CN106449181B
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201611068284.3
申请日:2016-11-29
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯/石墨烯/二氧化锡复合材料的制备方法。以水热法制备聚吡咯/氧化石墨烯复合物胶体,即利用聚吡咯链段上带正电的氮和氧化石墨烯表面的环氧键之间的静电张力在聚吡咯表面吸附大量的氧化石墨烯,有效阻止氧化石墨烯的团聚,然后用SnCl2溶液将胶体中的氧化石墨烯还原为石墨烯,同时采用水热法在含有少量含氧键的石墨烯表面吸附生成Sn(Ⅳ),再加入氢氧化钠溶液在180℃下反应制备出三维多孔网状聚吡咯/石墨烯/二氧化锡复合材料。本发明方法制备过程简单、绿色环保、可靠,且所得复合材料具有规整的空间结构、良好的分散性、高能量密度和功率密度、优秀的循环性能,是一种理想的超级电容器电极材料,适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN108010729A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711159748.6
申请日:2017-11-20
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/46 , H01G11/48
Abstract: 本发明公开了一种聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/二氧化锡复合材料的制备方法。以氧化石墨烯三维结构为骨架,利用吡咯链段上带正电的氮和氧化石墨烯表面上的环氧键之间的静电张力在氧化石墨烯表面生长聚吡咯纳米线阵列;同时,带正电的Sn(Ⅱ)离子进入到负电性的氧化石墨烯片层间,并与氧化石墨烯发生氧化还原反应而生成Sn(Ⅳ)离子,同时将氧化石墨烯还原为石墨烯,然后加入氢氧化钠溶液并在180℃下反应生成纳米二氧化锡颗粒沉积在还原后的石墨烯层之间,制得聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/二氧化锡复合材料。本发明方法制备过程简单、可靠、绿色环保,且制得的复合材料具有规整的空间结构,高能量密度和功率密度,以及优秀的循环性能。
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