公开(公告)号：CN109232617A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811027599.2

申请日：2018-09-04

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 唐群 ,  杨琰莉 ,  张宁 ,  胡嘉议 ,  莫其辉 ,  邹志明 ,  张淑芬 ,  梁福沛

IPC: C07F5/00 ,  C08G83/00 ,  H01F1/42

Abstract: 本发明公开了一种单分子磁体阴离子框架材料及合成方法。阴离子框架材料化学式为{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n，分子式为：C6NH16DyO12，分子量为：456.69g/mol。将碳酸镝和二水合草酸分别加入蒸馏水，而后将两者混合，并加N,N-二甲基甲酰胺，搅拌，控制pH在3，置于140℃的烘箱恒温四天，降温。利用Debye拟合方程计算该化合物能垒和弛豫时间，其最佳拟合结果为Ueff≈6.6K，τ0≈2.11×10-13s，证明该阴离子框架材料具有单分子磁体性质。本发明具有工艺简单、化学组分易于控制、重复性好等优点。