公开(公告)号：CN109232617A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811027599.2

申请日：2018-09-04

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 唐群 ,  杨琰莉 ,  张宁 ,  胡嘉议 ,  莫其辉 ,  邹志明 ,  张淑芬 ,  梁福沛

IPC: C07F5/00 ,  C08G83/00 ,  H01F1/42

Abstract: 本发明公开了一种单分子磁体阴离子框架材料及合成方法。阴离子框架材料化学式为{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n，分子式为：C6NH16DyO12，分子量为：456.69g/mol。将碳酸镝和二水合草酸分别加入蒸馏水，而后将两者混合，并加N,N-二甲基甲酰胺，搅拌，控制pH在3，置于140℃的烘箱恒温四天，降温。利用Debye拟合方程计算该化合物能垒和弛豫时间，其最佳拟合结果为Ueff≈6.6K，τ0≈2.11×10-13s，证明该阴离子框架材料具有单分子磁体性质。本发明具有工艺简单、化学组分易于控制、重复性好等优点。

公开(公告)号：CN109206443A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811026675.8

申请日：2018-09-04

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 唐群 ,  杨琰莉 ,  张宁 ,  胡嘉议 ,  黄昭荣 ,  邹志明 ,  张淑芬 ,  梁福沛

IPC: C07F3/00 ,  H01F1/42

Abstract: 本发明公开了一种阴离子框架磁制冷材料及其合成方法。阴离子框架磁制冷材料化学式为{(CH3)2NH2[Gd(ox)2(H2O)]·3H2O}n，分子式为：C6NH16GdO12，分子量为：451.44；将碳酸钆和二水合草酸分别加入蒸馏水，而后将两者混合，并加N,N-二甲基甲酰胺，搅拌，控制其pH在3，置于140℃的烘箱恒温四天，降温。在温度为2K以及磁场为7T时，该化合物的磁熵变值最大为37.8J kg–1K–1，说明{(CH3)2NH2[Gd(ox)2(H2O)]·3H2O}n在磁制冷方面具有潜在的应用前景。本发明具有工艺简单、化学组分易于控制、重复性好而且性能优等优点。

公开(公告)号：CN109400892B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201811091505.8

申请日：2018-09-19

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 唐群 ,  韦文厂 ,  杨琰莉 ,  程泽 ,  胡嘉议 ,  邹志明 ,  张淑芬 ,  梁福沛

IPC: C08G83/00 ,  B01J20/22 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  B01D53/02

Abstract: 本发明公开了一种可吸附易挥发性气体的铜基框架材料及制备方法。铜基框架材料的化学式为{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n，分子式为：C9H11CuO6NS，分子量为：325.12。将2,5‑噻吩二羧酸的水溶液与CuCl2·2H2O的DMF溶液混合，搅拌后，置于85℃烘箱恒温五天，降温，得{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n。该铜基框架材料去溶剂化后，孔径尺寸为同时暴露出金属活性位点及未配位的羧酸基团，易挥发性气体吸附测试证实该铜基框架材料在气体吸附应用方面的应用前景。本发明工艺简单、成本低廉、化学组分易于控制、重复性好且产率高。

公开(公告)号：CN109400892A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811091505.8

申请日：2018-09-19

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 唐群 ,  韦文厂 ,  杨琰莉 ,  程泽 ,  胡嘉议 ,  邹志明 ,  张淑芬 ,  梁福沛

IPC: C08G83/00 ,  B01J20/22 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  B01D53/02

Abstract: 本发明公开了一种可吸附易挥发性气体的铜基框架材料及制备方法。铜基框架材料的化学式为{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n，分子式为：C9H11CuO6NS，分子量为：325.12。将2,5-噻吩二羧酸的水溶液与CuCl2·2H2O的DMF溶液混合，搅拌后，置于85℃烘箱恒温五天，降温，得{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n。该铜基框架材料去溶剂化后，孔径尺寸为同时暴露出金属活性位点及未配位的羧酸基团，易挥发性气体吸附测试证实该铜基框架材料在气体吸附应用方面的应用前景。本发明工艺简单、成本低廉、化学组分易于控制、重复性好且产率高。